SK海力士表示，已向主要客户交付了12层堆叠的HBM4E（高带宽内存）样品，标志着该公司人工智能内存路线图迈出了重要一步。该公司表示，样品已按计划交付，并将与合作伙伴紧密合作，确保及时实现量产。
HBM4E是在SK海力士HBM产品组合的基础上，针对人工智能训练和推理工作负载，在带宽和能效方面均有所提升。SK海力士表示，这款新型内存的单引脚传输速度高达16Gbps，与上一代产品相比，能效提升超过20%。
该公司还推出了新的接口和设计优化方案，旨在降低数据传输延迟，并在高带宽运行条件下提高稳定性。这些改进旨在支持对内存吞吐量要求日益提高的人工智能数据中心和大规模计算平台。
采用SK海力士先进MR-MUF（回流熔封）封装技术的12层堆叠HBM4E封装，容量高达48GB。MR-MUF技术在堆叠芯片之间注入液态封装材料，以提升结构完整性并保护内部电路。据该公司称，与HBM4相比，该升级设计还提高了17%的耐热性，有助于在高可靠性人工智能系统中保持稳定性。
SK海力士表示，这款新产品充分利用了此前几代产品（包括HBM3、HBM3E和HBM4）积累的制造和封装经验。该公司预计，随着人工智能基础设施的不断扩展，HBM4E将满足日益增长的内存带宽需求。
SK海力士总裁兼首席开发官安铉表示，公司凭借其技术实力和制造专长，以HBM4E为核心，巩固了其在人工智能领域的领先地位。他还补充道，SK海力士将与合作伙伴紧密合作，在满足市场需求的同时，进一步巩固其作为全栈式人工智能存储器制造商的技术领先地位。
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