今天，Smart IOPS 发布了面向存储级内存 (SCM) 市场的全新 NVMe SSD——Unobtanium FN。这款新型 SSD 采用东芝 XL-Flash 技术，容量范围从 800GB 到 3.2TB。Smart IOPS 将于 8 月 6 日至 8 日在 2019 年闪存峰会 (Flash memory Summit 2019) 的 609 号展位上演示 Unobtanium FN。
Smart IOPS 由 Manuel d'Abreu、Ashutosh Das 和 Radhakrishnan Nair 创立，以其 TruRandom 技术而闻名。 该公司表示，TruRandom 可以采用其 SSD 并加快应用程序的性能，实现高 IOPS、降低延迟并消除存储 I/O 瓶颈。 Smart IOPS 旨在让 CSP、HPC 和企业数据中心更轻松地部署具有更高可靠性和 SLA 的 I/O 密集型和延迟敏感型应用程序，据他们所说，成本要低得多。
Unobtanium FN 借鉴阿凡达或拉里·尼文 (Larry Niven)，利用 SCM 技术 XL-FLASH。 与 Intel Optane 非常相似，XL-Flash 位于 DRAM 和 NAND 之间的空间，以比 DRAM 低得多的成本提供巨大的性能提升和超低延迟。 在性能方面，Unobtanium FN 可以提供 1.7 万次 IOPS 随机读取和 800K IOPS 随机写入，同时为队列深度为 75 的随机读取操作提供 99.999µs 的 16% QoS 延迟和 30µs 的典型随机读取操作延迟。 对于耐用性，新的 SDD 可以在五年内每天达到 15 次驱动器写入。
Unobtanium FN 可以以合理的价格提供显着的性能增强。 这对于人工智能、机器学习、数据分析、内容交付和缓存功能等市场非常重要。
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