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Texas Memory Systems 推出其闪存 SAN 以实现高可用性

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Texas Memory Systems (TMS) 刚刚推出了其首款高可用性闪存 SAN,即 RamSan-720。 该设备具有冗余组件和故障转移功能,适用于希望能够在一个系统上运行多个应用程序而不会出现单点故障且具有 6 或 12 TB 固态容量的组织。 RamSan-720 是 RamSan-710 阵列的更新版本,于今年 5 月初推出。 每个设备都有一个“二维闪存 RAID 5”,它在每个闪存模块中集成了芯片级闪存 RAID,使其成为第一个支持跨所有闪存卡的 RAID XNUMX 保护的 RamSan 系统。

新系统包含两个闪存 RAID 5 控制器和跨 12 或 24 个闪存模块的分散式 RAID,带有扩展架,如果芯片级 RAID 出现故障,其可变条带 RAID 技术会自动绕过故障闪存设备。 该系统还使用 300 到 400 瓦的功率,包括光纤通道或 InfiniBand 连接,并声称它可以以 400,000 IOPS 运行。

Texas Memory Systems 的 RamSan-720 将于 2012 年 120,000 月底上市,6 TB 系统的售价为 240,000 美元,12 TB 系统的售价为 XNUMX 美元。 期望 Texas Memory Systems 在不久的将来将这些高可用性功能添加到他们的其他 RamSan 系统中。

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莱尔·史密斯

Lyle 是 StorageReview 的撰稿人,文章涵盖了广泛的终端用户和企业 IT 主题。