东芝宣布开始量产24nm NAND闪存，紧随其后 英特尔最近的 25nm 公告.
24nm 技术将进一步缩小芯片尺寸。 东芝已经将 24 纳米技术应用于 2bit-per-cell 64-gigabit 芯片，使他们能够提供每芯片高达 8GB 的存储空间。 东芝还为其 24 纳米 NAND 配备了 Toggle DDR，从而提高了数据传输速度。
东芝表示，它计划增加采用 32 纳米技术制造的 3 吉比特和每单元 24 比特的产品，但没有具体说明日期。
英特尔计划在今年晚些时候推出采用 3 纳米工艺制造的每单元 25 位 NAND 闪存，以实现量产。 鉴于东芝刚刚推出每单元 2 位 24 纳米芯片，这意味着英特尔在竞争中处于领先地位。 英特尔表示，每单元 3 位技术使他们能够在缩小 2% 的芯片中提供与每单元 20 位相同的容量。
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