El nuevo SSD 990 de Samsung se une a la línea de consumo como una unidad PCIe Gen4 convencional que prioriza la eficiencia y el valor sobre la velocidad bruta. Samsung lo denomina su SSD más eficiente en consumo de energía hasta la fecha, afirmando una eficiencia energética hasta un 38% superior a la de la competencia. 990 PROEl modelo de 2 TB ofrece una velocidad de lectura secuencial de 7,250 MB/s y de escritura de 6,450 MB/s, con una E/S aleatoria de hasta 850 000 IOPS de lectura y 1,200 000 IOPS de escritura. El modelo de 1 TB ofrece una velocidad ligeramente inferior, con 7,150 MB/s de lectura secuencial, 700 000 IOPS de lectura aleatoria y 1,100 000 IOPS de escritura aleatoria. La unidad se comercializa en capacidades de 1 TB y 2 TB a precios de venta recomendados de 269.99 $ y 529.99 $, respectivamente.
El nombre merece una breve explicación. La familia 990 de Samsung ya incluye el 990 PRO, el 990 EVO y el 990 EVO Plus. El sencillo "990" ahora se sitúa junto a ellos como un SSD de entrada, en lugar de iniciar una nueva generación. Combina un controlador propio de Samsung con V-NAND (más detalles a continuación) en un diseño sin DRAM que se basa en un Host Memory Buffer. Tiene una garantía de tres años, en comparación con la garantía de cinco años del PRO, y está clasificado para 400 TB y 800 TB de escrituras en capacidades de 1 TB y 2 TB. La lectura secuencial iguala al 990 EVO Plus con 7,250 MB/s, pero es inferior a los 7,450 MB/s del 990 PRO. La clasificación de lectura aleatoria de 850 000 IOPS está muy por debajo de los 1,400 000 del PRO. La propuesta de Samsung se centra en dos cifras: la escritura secuencial es más de un 50 % más rápida que la del 990 EVO, y ofrece una mejora de eficiencia del 38 %; 1,686 MB/s por vatio en lecturas de 2 TB frente a 1,221 MB/s por vatio para el 990 PRO en las pruebas internas de Samsung. Los compradores que priorizan la velocidad ya cuentan con la familia 9100 PRO de quinta generación de Samsung , que analizamos en su lanzamiento y de nuevo en su capacidad de 8 TB , por lo que el 990 no pretende competir directamente con esas unidades.
Samsung ya ha recorrido este camino antes. El 980 , su primer disco NVMe para consumidores sin DRAM, pasó por nuestro laboratorio en 2021 y dejó una mala impresión. Las capacidades más pequeñas, en particular, quedaron en los últimos puestos de nuestras pruebas, y el disco fue objeto de burlas constantes en el laboratorio. Pero el mercado ha cambiado drásticamente desde entonces. El desarrollo de la IA está absorbiendo la oferta de NAND y DRAM, los precios de los componentes están subiendo y los consumidores están notando las consecuencias en todos los ámbitos. En este contexto, un disco Gen4 que ofrezca una velocidad secuencial sólida, un bajo consumo de energía y una capacidad decente empieza a parecer una opción sensata, siempre que el precio de venta sea acorde.
Una especificación que Samsung se negó a proporcionar es la de la memoria NAND en sí. La guía del revisor solo menciona "Samsung V-NAND". Cuando preguntamos directamente, la compañía dijo que no puede revelar detalles de los componentes más allá de las especificaciones oficiales, remitiéndonos al rendimiento nominal y a su "última tecnología Samsung V-NAND". Así que nos vemos obligados a interpretar la información implícita, que apunta a TLC en lugar de QLC. La especificación de durabilidad es la clave: 400 TB y 800 TB durante una garantía de tres años equivalen a aproximadamente 133 TB y 267 TB de escrituras por año, esencialmente la misma capacidad anual que los 600 TB y 1,200 TB del 990 PRO durante cinco años. La respuesta más probable es que esta unidad utilice una memoria Samsung TLC V-NAND de menor calidad o una opción más económica con una garantía más corta para que la unidad sea más asequible. Resulta extraño que sean tan reservados con lo que suele ser una especificación fundamental.
La unidad que hemos analizado es el modelo de 2 TB (MZ-V9V2T0), una muestra de preproducción con el firmware 0B2QLXL7, a la que hemos sometido a pruebas de carga de modelos fio, GDS e IA, tal y como se detalla a continuación.
Especificaciones del SSD Samsung 990
| Especificación | Samsung 990 1TB | Samsung 990 2TB |
|---|---|---|
| Descripción general de la plataforma | ||
| Fácil de usar | PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0 (compatible con versiones anteriores de PCIe 3.0) | |
| Factor de forma | M.2 2280 Máx. 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm) |
|
| Control | Controlador interno de Samsung | |
| NAND | Samsung V-NAND | |
| Memoria caché | HMB (Host Memory Buffer), sin DRAM | |
| Código del modelo | MZ-V9V1T0 | MZ-V9V2T0 |
| Rendimiento | ||
| Lectura secuencial | Hasta 7,150MB / s | Hasta 7,250MB / s |
| Escritura secuencial | Hasta 6,450MB / s | Hasta 6,450MB / s |
| Lectura aleatoria | Hasta 700K IOPS | Hasta 850K IOPS |
| Escritura Aleatoria | Hasta 1,100K IOPS | Hasta 1,200K IOPS |
| Potencia y resistencia | ||
| Potencia activa (Lectura promedio) | 4.0 W | 4.3 W |
| Potencia activa (escritura promedio) | 3.7 W | 3.8 W |
| Potencia en ralentí (típica) | PS3 de 55 mW (APST activado) PS4 de 3 mW (L1.2) |
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| Resistencia (TBW) | 400TB | 800TB |
| MTBF | 1.5 millón de horas | |
| Garantía | 3 años limitados | |
| Caracteristicas | ||
| Funciones de apoyo | TRIM (se requiere compatibilidad con el sistema operativo) Recolección de basura INTELIGENTE |
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| Seguridad de Datos | Cifrado de disco completo AES de 256 bits TCG/Opal V2.0 Unidad cifrada (IEEE1667) |
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| Software | Samsung Magician 9.0 | |
| valor sugerido del mercado | $269.99 | $529.99 |
Diseño y construcción de la unidad SSD Samsung 990
El Samsung 990 utiliza el formato M.2 2280, con unas dimensiones de hasta 80.15 x 22.15 x 2.38 mm. Su diseño de una sola cara no incluye disipador de calor. Esto lo convierte en una buena opción para portátiles, ordenadores compactos y placas base de sobremesa con su propio sistema de refrigeración M.2. Su construcción es sencilla: Samsung ubica el controlador, la memoria NAND y los circuitos auxiliares en una de las caras de la placa de circuito impreso.
La etiqueta frontal muestra la marca Samsung 990, la capacidad de 2 TB, el número de modelo, el firmware y las especificaciones eléctricas. No incluye disipador de calor integrado, por lo que la refrigeración depende del flujo de aire del sistema y de un disipador M.2 que usted proporcione.
Tras retirar la etiqueta, se puede apreciar el controlador propio de Samsung cerca del conector M.2, con los componentes de alimentación a su alrededor. La memoria NAND se ubica en el otro extremo de la placa, dejando bastante espacio libre en el centro. Dado que se trata de una unidad sin DRAM, no hay ningún chip DRAM independiente en la placa de circuito impreso.
La parte posterior de la unidad está ocupada principalmente por la etiqueta reglamentaria, sin componentes activos debajo. Además, dado que el 990 utiliza un diseño de una sola cara, debería ser más fácil de instalar en portátiles delgados y sistemas compactos donde el espacio alrededor de la ranura M.2 puede ser reducido.
En cuanto al software, el 990 se gestiona mediante Samsung Magician 9.0, que cubre lo esencial: actualizaciones de firmware, monitorización del estado de la unidad y SMART, análisis de diagnóstico, pruebas de rendimiento y borrado seguro, además de la configuración de las funciones de cifrado AES de 256 bits de la unidad. No hay nada específico del 990 que configurar, ya que la configuración HMB no requiere ajustes por parte del usuario. Vale la pena instalarlo al arrancar el sistema por primera vez para mantener el firmware actualizado, y Magician es, en general, una herramienta muy potente que aporta valor.
Rendimiento del Samsung 990
Máximo rendimiento sintético
La prueba FIO es una herramienta de evaluación comparativa flexible y potente para medir el rendimiento de dispositivos de almacenamiento, incluyendo SSD y HDD. Evalúa métricas como el ancho de banda, las IOPS y la latencia bajo diferentes cargas de trabajo, como operaciones de lectura/escritura secuenciales y aleatorias. Esta prueba ayuda a evaluar el rendimiento máximo de los sistemas de almacenamiento, lo que resulta útil para comparar diferentes dispositivos o configuraciones. En esta prueba, medimos el rendimiento máximo en ráfagas, limitando la carga de trabajo a 10 GB en ambos SSD.
Rendimiento sintético máximo: El Samsung 990 ofreció 7,177 MB/s de lectura secuencial, 6,070 MB/s de escritura secuencial, 872 000 IOPS de lectura aleatoria y 1.08 millones de IOPS de escritura aleatoria, lo que lo sitúa cerca del final de este grupo de comparación PCIe Gen4/Gen5. En comparación con el Samsung 990 Pro, el 990 se quedó atrás en aproximadamente un 4 % en lectura secuencial, pero cayó un 15.7 % por detrás en escritura secuencial, un 37.7 % por detrás en IOPS de lectura aleatoria y un 23.0 % por detrás en IOPS de escritura aleatoria. Frente a la unidad Gen5 más rápida, la SanDisk SN8100, la brecha se amplió considerablemente, con el 990 ofreciendo aproximadamente un 52 % menos de rendimiento de lectura secuencial, un 57 % menos de rendimiento de escritura secuencial, un 62 % menos de rendimiento de lectura aleatoria y un 50 % menos de rendimiento de escritura aleatoria.
| Prueba FIO (cuanto mayor sea el número de MB/s/IOPS, mejor) | Lectura secuencial de 128K (1T/64Q) | Escritura secuencial de 128K (1T/64Q) | Lectura aleatoria 4K (16T/32Q) | Escritura aleatoria 4K (16T/32Q) |
|---|---|---|---|---|
| SanDisk SN8100 | 15,000 0.56 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 14,100 0.59 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 2.312 millones de IOPS (latencia promedio de 0.22 ms) | 2.144 millones de IOPS (latencia promedio de 0.24 ms) |
| Kingston FURY Renegade G5 | 14,600 0.57 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 14,100 0.59 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 2.028 millones de IOPS (latencia promedio de 0.25 ms) | 2.028 millones de IOPS (latencia promedio de 0.25 ms) |
| Samsung 9100 Pro | 14,600 0.57 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 13,300 0.63 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 2.734 millones de IOPS (latencia promedio de 0.18 ms) | 2.734 millones de IOPS (latencia promedio de 0.19 ms) |
| SK hynix platino P51 | 14,500 0.58 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 13,500 MB/s (latencia promedio de 0.62 ms) | 2.369 millones de IOPS (latencia promedio de 0.22 ms) | 2.669 millones de IOPS (latencia promedio de 0.19 ms) |
| Crucial T705 | 14,400 0.58 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 12,300 0.68 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 1.585 millones de IOPS (latencia promedio de 0.32 ms) | 2.703 millones de IOPS (latencia promedio de 0.19 ms) |
| Grupo de equipo GE Pro de 2 TB | 13,900 0.60 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 12,800 0.65 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 2.585 millones de IOPS (latencia promedio de 0.23 ms) | 1.818 millones de IOPS (latencia promedio de 0.28 ms) |
| Lexar Professional NM1090 PRO | 13,800 0.61 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 13,600 0.62 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 2.251 millones de IOPS (latencia promedio de 0.23 ms) | 1.818 millones de IOPS (latencia promedio de 0.28 ms) |
| TEAMGROUP GC Pro de 2 TB | 13,600 0.62 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 12,700 0.66 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 2.110 millones de IOPS (latencia promedio de 0.24 ms) | 1.686 millones de IOPS (latencia promedio de 0.28 ms) |
| PNY CS2150 | 10,400 0.80 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 8,801 MB/s (latencia promedio de 0.95 ms) | 1.379 millones de IOPS (latencia promedio de 0.371 ms) | 1.623 millones de IOPS (latencia promedio de 0.32 ms) |
| Corsair MP700 MICRO de 4 TB | 9,169 0.91 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 7,948 1.06 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 1.277 millones de IOPS (latencia promedio de 0.40 ms) | 1.540 millones de IOPS (latencia promedio de 0.33 ms) |
| P510 crucial | 8,835 MB/s (latencia promedio de 0.90 ms) | 9,961 MB/s (latencia promedio de 0.80 ms) | 1.163 millones de IOPS (latencia promedio de 0.44 ms) | 1.196 millones de IOPS (latencia promedio de 0.51 ms) |
| Micron 3610 de 2 TB | 6,839 1.23 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 9,673 0.87 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 1.523 millones de IOPS (latencia promedio de 0.34 ms) | 1.871 millones de IOPS (latencia promedio de 0.27 ms) |
| Samsung 990 Pro | 7,483 1.12 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 7,197 1.16 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 1.400 millones de IOPS (latencia promedio de 0.36 ms) | 1.403 millones de IOPS (latencia promedio de 0.36 ms) |
| Crucial P310 2TB | 7,197 1.16 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 6,376 1.31 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 1.163 millones de IOPS (latencia promedio de 0.44 ms) | 1.196 millones de IOPS (latencia promedio de 0.43 ms) |
| Samsung 990 2TB | 7,177 1.17 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 6,070 1.38 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 872 0.59 IOPS (latencia media de XNUMX ms) | 1.08 millones de IOPS (latencia promedio de 0.47 ms) |
| Disco duro externo WD SN850X de 2 TB | 6,632 0.76 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 7,235 0.92 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 1.2 millones de IOPS (latencia promedio de 0.43 ms) | 825 0.62 IOPS (latencia media de XNUMX ms) |
| Micron 2600 de 2 TB | 5,702 1.47 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 6,612 1.27 MB/s (latencia media de XNUMX ms) | 1.11 millones de IOPS (latencia promedio de 0.46 ms) | 1.36 millones de IOPS (latencia promedio de 0.38 ms) |
Tiempo promedio de carga del LLM
La prueba de tiempo de carga promedio de LLM evaluó los tiempos de carga de tres modelos de lenguaje (LLM) diferentes: DeepSeek R1 7B, Meta Llama 3.2 11B y DeepSeek R1 32B. Cada modelo se probó 10 veces y se calculó el tiempo de carga promedio. Esta prueba mide la capacidad de la unidad para cargar rápidamente modelos de lenguaje grandes (LLM) en la memoria. Los tiempos de carga de LLM son cruciales para las tareas relacionadas con la IA, especialmente para la inferencia en tiempo real y el procesamiento de grandes conjuntos de datos. Una carga más rápida permite que el modelo procese los datos con mayor rapidez, mejorando así la capacidad de respuesta de la IA y reduciendo los tiempos de espera.
Tiempo de carga promedio de LLM: La carga del modelo de IA fue la prueba más débil del Samsung 990, con la unidad terminando en o cerca del último lugar en las tres cargas de trabajo. Registró 5.06 segundos para DeepSeek R1 7B, 7.61 segundos para Meta Llama 3.2 11B Vision y 7.86 segundos para DeepSeek R1 32B. En comparación con la unidad más rápida, la SK hynix Platinum P51, el Samsung 990 tardó aproximadamente un 99% más en cargar el modelo 7B, un 112% más en cargar el modelo 11B Vision y un 88% más en cargar el modelo 32B. El resultado más interesante es el Samsung 990 Pro, que se ubica en el último lugar de estas tablas junto con su hermano de valor: el 990 superó al Pro por aproximadamente un 1% en la carga de 7B y lo rezagó por un 15% en el modelo 11B Vision y un 8% en el modelo 32B. Cualquier limitación que presenten las unidades Gen4 de Samsung en esta carga de trabajo, la limitan a todas, por lo que pasarse a la versión Pro no supone una gran ventaja en cuanto a la carga de modelos de IA.
| Tiempo promedio de carga de LLM (cuanto menor, mejor) | Búsqueda profunda R1 7B | Meta Llama 3.2 11B Visión | Búsqueda profunda R1 32B |
|---|---|---|---|
| SK hynix platino P51 | Años 2.5481 | Años 3.5809 | Años 4.1790 |
| SanDisk SN8100 | Años 2.5702 | Años 3.5856 | Años 4.2870 |
| Samsung 9100 Pro de 4 TB | Años 2.6173 | Años 3.6017 | Años 4.3735 |
| PNY CS2150 | Años 2.8107 | Años 3.6820 | Años 4.8962 |
| CrucialT705 2TB | Años 2.8758 | Años 3.6312 | Años 5.1080 |
| Crucial P510 1TB | Años 2.8817 | Años 3.6631 | Años 5.0594 |
| Grupo de equipo GE Pro de 2 TB | Años 2.9092 | Años 3.9136 | Años 4.8974 |
| TEAMGROUP GC Pro de 2 TB | Años 2.9379 | Años 3.9267 | Años 4.8188 |
| Disco duro externo WD SN850X de 2 TB | Años 3.0082 | Años 3.6543 | Años 5.4844 |
| Kingston FURY Renegade G5 | Años 3.1843 | Años 4.8009 | Años 4.6523 |
| Crucial P310 2TB | Años 3.1889 | Años 3.7083 | Años 5.4844 |
| Lexar Professional NM1090 PRO | Años 3.2135 | Años 4.9504 | Años 7.2108 |
| Micron 2600 de 2 TB | Años 3.3178 | Años 3.9174 | Años 5.9060 |
| Corsair MP700 MICRO de 4 TB | Años 3.4694 | Años 5.2106 | Años 5.3990 |
| Micron 3610 de 2 TB | Años 3.5348 | Años 5.3853 | Años 5.5731 |
| Samsung 990 2TB | Años 5.0645 | Años 7.6087 | Años 7.8619 |
| Samsung 990 Pro de 2 TB | Años 5.1255 | Años 6.6051 | Años 7.3021 |
Una de las pruebas realizadas en este banco de pruebas fue la prueba Magnum IO GPU Direct Storage (GDS). GDS es una función desarrollada por NVIDIA que permite a las GPU acceder a los datos almacenados en unidades NVMe u otros dispositivos de almacenamiento de alta velocidad sin pasar por la CPU. En lugar de enrutar los datos a través de la CPU y la memoria del sistema, GDS permite la comunicación directa entre la GPU y el dispositivo de almacenamiento, lo que reduce significativamente la latencia y mejora el rendimiento de los datos.
Cómo funciona el almacenamiento directo en GPU
Tradicionalmente, cuando una GPU procesa datos almacenados en una unidad NVMe, estos deben pasar primero por la CPU y la memoria del sistema antes de llegar a la GPU. Este proceso genera cuellos de botella, ya que la CPU actúa como intermediaria, lo que añade latencia y consume valiosos recursos del sistema. El almacenamiento directo a la GPU elimina esta ineficiencia al permitir que la GPU acceda a los datos directamente desde el dispositivo de almacenamiento a través del bus PCIe. Esta ruta directa reduce la sobrecarga de transferencia de datos, lo que permite transferencias de datos más rápidas y eficientes.
Las cargas de trabajo de IA, especialmente las que implican aprendizaje profundo, requieren un uso intensivo de datos. El entrenamiento de redes neuronales de gran tamaño requiere el procesamiento de terabytes de datos, y cualquier retraso en la transferencia de datos puede provocar que las GPU se subutilicen y que los tiempos de entrenamiento sean más prolongados. El almacenamiento directo en la GPU aborda este desafío al garantizar que los datos se entreguen a la GPU lo más rápido posible, lo que minimiza el tiempo de inactividad y maximiza la eficiencia computacional.
Además, GDS es particularmente beneficioso para cargas de trabajo que implican la transmisión de grandes conjuntos de datos, como el procesamiento de video, el procesamiento de lenguaje natural o la inferencia en tiempo real. Al reducir la dependencia de la CPU, GDS acelera el movimiento de datos y libera recursos de la CPU para otras tareas, lo que mejora aún más el rendimiento general del sistema.
El rendimiento en el lado de lectura aumentó de forma constante a medida que aumentaba el número de hilos. Con un tamaño de bloque de 1M, el Samsung 990 comenzó en 2.27 GiB/s en un solo hilo y alcanzó un pico de 2.89 GiB/s con 64 hilos, para luego estabilizarse en 2.79 GiB/s con 128 hilos. El tamaño de bloque de 128K siguió una curva similar, aumentando de 1.21 GiB/s con 1 hilo a 2.12 GiB/s con 128 hilos, aproximadamente un aumento del 75%. El tamaño de bloque de 16K se comportó de manera diferente. Alcanzó un pico con un solo hilo (0.82 GiB/s), cayó drásticamente una vez que se introdujo la concurrencia y se estabilizó en torno a 0.3 GiB/s a partir de 8 hilos. Este patrón es consistente con la saturación de E/S de bloques pequeños en la sobrecarga por operación en lugar del ancho de banda bruto.
La latencia escaló como se esperaba, aumentando con el número de hilos. Con 1M, la latencia promedio aumentó de 430 microsegundos en un hilo a 44.7 milisegundos en 128 hilos, un aumento de aproximadamente 100 veces, lo que refleja una mayor profundidad de la cola debido a la mayor cantidad de hilos de GPUDirect Storage concurrentes. Los tamaños de bloque de 128K y 16K mostraron la misma tendencia ascendente, alcanzando 7.4 milisegundos y 6.2 milisegundos, respectivamente, con 128 hilos. Cabe destacar que 16K tuvo la latencia de un solo hilo más baja de los tres (18 microsegundos), lo que refleja su menor carga útil por operación, aunque su límite de rendimiento general fue el más bajo.
El rendimiento de escritura varió según el tamaño del bloque. El tamaño de bloque de 1M destacó, pasando de 0.32 GiB/s con un solo hilo a 3.89 GiB/s con 8 hilos (su pico), antes de disminuir ligeramente a 3.63 GiB/s con 128 hilos a medida que aumentaba la sobrecarga de la cola. Los tamaños de bloque de 128K y 16K se mantuvieron estables en todo el rango de hilos, rondando los 0.3 GiB/s independientemente de la concurrencia. Esto sugiere que la ruta de escritura está limitada por la sobrecarga de E/S por unidad o por la cola del controlador, en lugar del ancho de banda, en esos tamaños.
La latencia en las escrituras aumentó más bruscamente que en las lecturas, particularmente en 128K, que subió de 382 microsegundos en un hilo a 51.0 milisegundos en 128 hilos, la cifra más alta registrada en las pruebas de escritura o lectura. El tamaño de bloque de 1M mostró una caída inusual, con una latencia que bajó de 3.06 milisegundos en un hilo a 1.03 milisegundos en cuatro hilos, probablemente porque la ejecución de un solo hilo aún no estaba saturando la ruta de escritura, para luego subir constantemente a 34.4 milisegundos en 128 hilos. El tamaño de bloque de 16K se mantuvo más constante, cerrando el barrido en 9.1 milisegundos, el límite inferior de los tres tamaños de bloque.
Conclusión
El Samsung 990 no está compitiendo por los primeros puestos, y las cifras lo demuestran. Quedó por detrás del 990 Pro en todas las pruebas FIO que realizamos, desde una diferencia del 4 % en lectura secuencial hasta un déficit del 38 % en IOPS de lectura aleatoria, y se quedó muy por detrás de las unidades Gen4 y Gen5 más rápidas de este grupo de comparación. La carga del modelo de IA cuenta una historia similar, con el 990 y el 990 Pro terminando en los últimos puestos juntos; el 990 superó a su hermano Pro en la carga DeepSeek R1 7B, mientras que quedó entre un 8 % y un 15 % por debajo en los modelos más grandes. Los compradores que necesiten el máximo rendimiento para cargas de trabajo exigentes deberían buscar otras opciones en la gama de Samsung, empezando por el Gen5 9100 Pro.
Dicho esto, comparar el 990 con las unidades más rápidas del mercado no capta la esencia de esta unidad. Se trata de un SSD Gen4 convencional diseñado para ofrecer eficiencia y una buena relación calidad-precio, no para alcanzar la máxima velocidad en pruebas de rendimiento, y comparado con su predecesor, el 990 EVO, supone una mejora considerable. Las escrituras secuenciales son más de un 50 % más rápidas, la eficiencia energética ha aumentado un 38 % según las propias cifras de Samsung, y la unidad sigue ofreciendo velocidades de lectura secuencial similares a las del 990 EVO Plus. Samsung optó por no revelar detalles sobre la memoria NAND, pero las clasificaciones de resistencia sugieren una implementación TLC competente en lugar de un diseño QLC.
Para los compradores que no necesitan velocidades Gen5 ni E/S aleatorias de nivel Pro, y que buscan una unidad Gen4 fiable y de bajo consumo a un precio razonable, la 990 es una opción de actualización sensata desde la línea EVO. Cabe destacar que la actualización a la 990 Pro no ofrece ninguna mejora en la carga de modelos de IA, por lo que la elección entre ambas se reduce a la E/S aleatoria y las escrituras sostenidas, más que a cualquier aspecto relacionado con la IA. Con precios de venta recomendados de 269.99 $ para la versión de 1 TB y 529.99 $ para la de 2 TB, estos precios reflejan más el mercado actual de memorias que el posicionamiento de entrada de la unidad, por lo que la relación calidad-precio de la 990 dependerá en última instancia de los precios de mercado. No es la unidad ideal si el rendimiento puro es la prioridad, pero cumple con su función.
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