Micron Technology et Intel ont annoncé aujourd'hui la disponibilité de leur nouvelle technologie 3D NAND. Développée conjointement par les deux sociétés, cette nouvelle technologie de mémoire flash est présentée comme la plus haute densité au monde. Les entreprises affirment qu'elles pourront obtenir une capacité trois fois supérieure à celle des technologies NAND concurrentes.
Flash est adopté ou déjà utilisé dans la plupart des domaines, des appareils mobiles grand public aux déploiements d'entreprise. Le plus gros problème auquel l'industrie est actuellement confrontée est que la NAND planaire atteint sa limite de mise à l'échelle pratique. Micron et Intel visent à changer cela avec leur NAND 3D qui empile verticalement des couches de cellules de stockage de données.
Intel et Micron ont choisi d'utiliser une cellule à grille flottante, utilisée depuis un certain temps dans l'industrie, dans leur NAND 3D. C'est la première fois que la cellule à grille flottante est utilisée avec la NAND 3D. Grâce à l'expérience éprouvée des cellules à grille flottante, Intel et Micron pensent qu'ils peuvent obtenir de meilleures performances, une meilleure fiabilité et une meilleure qualité en utilisant cette technologie. Cette nouvelle technologie 3D NAND permet d'empiler verticalement les cellules flash en 32 couches. Cela permettra d'obtenir des matrices MLC de 256 Go et des matrices TLC de 384 Go, qui tiennent toutes deux dans un boîtier standard. Cette augmentation de capacité permettra aux SSD M.2 d'atteindre une capacité de stockage totale de 3.5 To ou plus et les SSD standard de 2.5" auront une capacité de stockage totale de 10 To ou plus. Cette augmentation de capacité rendra le flash beaucoup plus attrayant pour les centres de données. qui doivent s'adapter au stockage dans une certaine densité.
Les principales caractéristiques comprennent:
- Grandes capacités - Trois fois la capacité de la technologie 3D existante - jusqu'à 48 Go de NAND par puce - permettant aux trois quarts d'un téraoctet de tenir dans un seul boîtier de la taille d'un doigt.
- Réduction du coût par Go - La NAND 3D de première génération est conçue pour atteindre une meilleure rentabilité que la NAND planaire.
- Rapide – Bande passante élevée en lecture/écriture, vitesses d'E/S et performances de lecture aléatoire.
- Vert - Les nouveaux modes de veille permettent une faible consommation d'énergie en coupant l'alimentation des puces NAND inactives (même lorsque d'autres puces du même boîtier sont actives), ce qui réduit considérablement la consommation d'énergie en mode veille.
- Intelligent - De nouvelles fonctionnalités innovantes améliorent la latence et augmentent l'endurance par rapport aux générations précédentes, et facilitent également l'intégration du système.
Disponibilité
Le MLC 256 Go est échantillonné avec des partenaires sélectionnés aujourd'hui et le 384 Go sera échantillonné plus tard ce trimestre. La production devrait démarrer au second semestre 2015.
Toshiba a également annoncé aujourd'hui une nouvelle technologie NAND 3D.
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