Toshiba a annoncé le développement d'une mémoire flash à structure de cellules empilées en trois dimensions à 48 couches nommée BiCS, un dispositif 2 bits par cellule de 128 gigabits (16 gigaoctets). Principalement adapté aux disques SSD, le BiCS est basé sur un processus d'empilement à 48 couches, qui améliore la fiabilité de l'endurance en écriture/effacement tout en augmentant la vitesse d'écriture. Les expéditions d'échantillons de produits utilisant la nouvelle technologie de traitement commenceront aujourd'hui.
Toshiba a continué à mettre l'accent sur le développement d'une production de masse optimisée afin de répondre à la croissance du marché en 2016 et à l'avenir. La société a inventé la technologie BiCS 3D au début des années 2000, et Toshiba soutient de manière proactive la migration vers la mémoire Flash 3D en lançant un portefeuille de produits axé sur les applications à grande capacité, y compris les SSD. La technologie 3D de Toshiba offre quatre avantages clés : la technologie 3D utilise moins d'énergie, favorise une meilleure endurance, augmente l'efficacité énergétique et offre une densité plus élevée. En conséquence, cela rend la technologie idéale pour une variété de cas d'utilisation d'applications hautes performances.
Toshiba se prépare également à la production de masse dans sa nouvelle Fab2 à Yokkaichi Operations, son site de production de mémoires flash NAND. À peu près à la même époque l'année dernière, la société a annoncé qu'elle remplacerait son ancienne usine de fabrication à Yokkaichi, au Japon, pour passer à la technologie 3D NAND. La nouvelle Fab2 est actuellement en construction et sera achevée au cours du premier semestre 2016.
Micron et Intel ont également annoncé aujourd'hui une nouvelle technologie 3D NAND développée conjointement.
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