Intel et Micron ont annoncé la livraison d'une mémoire flash NAND 3 bits par cellule (3bpc) basée sur la technologie de traitement 25 nm. Les échantillons sortent et la production complète est prévue cette année.
La lithographie 8 Go 25 nm stocke trois bits d'information par cellule (TLC à triple niveau), plutôt que le bit traditionnel (cellule à un niveau) ou deux bits (cellule à plusieurs niveaux). Le résultat est un appareil plus de 20 % plus petit que le MLC 25 nm de même capacité, qui est actuellement le plus petit appareil de 8 Go en production aujourd'hui.
"Avec l'introduction en janvier de la plus petite taille de puce du secteur à 25 nm, rapidement suivie par le passage à 3 bits par cellule sur 25 nm, nous continuons à gagner du terrain et à offrir aux clients un ensemble convaincant de produits leaders", a déclaré Tom Rampone, Intel vice-président et directeur général d'Intel NAND Solutions Group. "Intel prévoit d'utiliser le leadership en matière de conception et de fabrication d'IMFT pour fournir à ses clients des produits à haute densité et à des prix compétitifs basés sur le nouveau dispositif NAND 8 Go TLC 25 nm."
Amazon