Samsung annonce le premier SSD basé sur sa technologie 3D V-NAND conçue pour les applications de serveurs et de centres de données d'entreprise. L'annonce a été faite lors du Flash Memory Summit auquel nous participons. Le nouveau SSD V-NAND sera livré dans des capacités de 960 Go et 480 Go. Le SSD V-NAND de 960 Go s'interface sur SATA 6 Gb/s et utilise 64 matrices de flash MLC 3D V-NAND à 128 Go de stockage pour fournir une augmentation de plus de 20 % des vitesses d'écriture séquentielle et aléatoire. Peut-être encore plus important pour les organisations qui adoptent la nouvelle technologie, le nouveau SSD V-NAND offre des cycles d'effacement de programme de 35 XNUMX.
Comme nous l'avions indiqué lors de notre article initial sur la technologie 3D V-NAND de Samsung, son principe repose sur l'empilement vertical de couches de cellules planaires en une structure 3D. Cette matrice 3D comprend 24 couches reliées par des structures de cellules Flash à piège de charge cylindriques 3D et une technologie d'interconnexion verticale. Grâce à cela, la technologie 3D V-NAND de Samsung double la productivité de fabrication par rapport à la mémoire flash NAND planaire 20-30 nm. Le SSD V-NAND est disponible en plusieurs hauteurs, toutes au format 2.5 pouces. Les hauteurs x, y et z sont respectivement de 10 cm, 7 cm et 7 mm, offrant ainsi une plus grande flexibilité aux fabricants de serveurs.
Samsung a récemment annoncé avoir commencé la production des SSD V-NAND.
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