Peu après avoir annoncé la production de modules DRAM de 4 Go , Samsung a lancé la production en série de mémoire embarquée de 256 gigaoctets basée sur la norme Universal Flash Storage (UFS) 2.0 pour les appareils mobiles haut de gamme de nouvelle génération, une autre première dans le secteur. Samsung indique que cette nouvelle mémoire embarquée offrira des performances exceptionnelles sur les appareils mobiles et surpassera celles d'un SSD SATA classique pour PC.
La nouvelle mémoire intégrée de 256 Go utilise les puces de mémoire flash V-NAND les plus avancées de Samsung ainsi qu'un contrôleur hautes performances spécialement conçu. De plus, comme il est basé sur la norme UFS 2.0, il peut gérer jusqu'à 45,000 40,000 et 19,000 14,000 IOPS pour la lecture et l'écriture aléatoires respectivement, ce qui est plus de deux fois plus rapide que les XNUMX XNUMX et XNUMX XNUMX IOPS de la génération précédente de mémoire UFS.
L'UFS de 256 Go de Samsung exploite également deux voies de transfert de données, qui est capable de se vanter de 850 Mo/s en lecture séquentielle tout en atteignant 260 Mo/s en écriture. Samsung ajoute que cela permettra à la mémoire UFS de 256 Go de prendre en charge la lecture vidéo Ultra HD transparente et la fonctionnalité multitâche sur les appareils mobiles à grand écran, y compris la lecture de films 4K Ultra HD sur un écran partagé tout en recherchant des fichiers image ou en téléchargeant des clips vidéo. L'utilisation de la technologie de mémoire avancée de Samsung permet également aux nouvelles puces de mémoire UFS d'être très compactes et encore plus petites qu'une carte micro SD.
Samsung prévoit d'étendre ses gammes de stockage haut de gamme basées sur sa mémoire flash V-NAND avancée (y compris le nouveau UFS de 256 Go) et a l'intention d'augmenter leur volume de production en fonction de la demande mondiale.
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