Samsung a annoncé avoir commencé à produire en masse la première DRAM DDR2 10 Go de 1e génération de classe 8 nanomètres (4y-nm) de l'industrie. Conçue pour les systèmes informatiques haut de gamme d'aujourd'hui et de demain, la nouvelle RAM de Samsung est présentée comme la puce DRAM 8 Go la plus performante et la plus économe en énergie disponible, associée aux dimensions les plus réduites.
La mémoire DDR4 8 Gb de deuxième génération, gravée en 10 nm, affiche un gain de productivité d'environ 30 % par rapport à la génération précédente d'avril 2016. De plus, Samsung indique que ses performances et son efficacité énergétique ont été améliorées d'environ 10 % et 15 % respectivement, grâce à sa technologie de conception de circuits avancée et propriétaire. La DDR4 8 Gb de deuxième génération peut également fonctionner à 3 600 Mbit/s par broche, soit 400 Mbit/s de plus que la génération précédente.
Samsung explique qu'il a pu y parvenir en appliquant de nouvelles technologies sans avoir à utiliser un processus EUV. Cette nouvelle technologie DRAM a également bénéficié d'un système de détection de données de cellule à haute sensibilité, qui permet une détermination plus précise des données stockées dans chaque cellule, et d'un schéma progressif "d'espaceur d'air", qui est placé autour de ses lignes de bits pour réduire considérablement capacité parasite. Samsung a ainsi pu augmenter de manière significative le niveau d'intégration des circuits et la productivité de fabrication.
Disponibilité
Samsung a terminé la validation des modules DDR2 de classe 10 nm de 4e génération auprès des fabricants de processeurs et prévoit également de fabriquer davantage de sa DRAM de classe 1 nm de 10re génération.
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