Samsung Electronics a annoncé le lancement de la production en série de la première mémoire DRAM de 4 Go basée sur l'interface HBM2 (High Bandwidth Memory) de deuxième génération. Conçue pour le calcul haute performance (HPC), les graphismes avancés, les systèmes réseau et les serveurs d'entreprise, cette mémoire promet des performances plus de sept fois supérieures aux limitations actuelles de la DRAM, offrant ainsi une réactivité accrue pour les tâches informatiques exigeantes. Cette annonce fait suite au lancement, en octobre dernier, d'une mémoire RDIMM DDR4 TSV 3D de 128 Go.
Sur la photo, 128 Go 3D TSV DDR4 RDIMM
Tirant parti de la technologie de traitement 20 nanomètres la plus efficace de Samsung et de la conception de puce HBM avancée, le boîtier HBM4 de 2 Go est créé en empilant une matrice tampon en bas et quatre matrices de base de 8 Go sur le dessus (une seule matrice contient plus de 5,000 256 trous TSV). Samsung explique qu'ils s'interconnectent ensuite verticalement par des trous TSV et des microbosses. Le nouveau package DRAM de Samsung double également la bande passante de la génération précédente avec 4 Go/s. En outre, il permet d'améliorer l'efficacité énergétique en doublant la bande passante par watt par rapport à une solution basée sur 5Gb-GDDRXNUMX tout en intégrant la fonctionnalité ECC pour une fiabilité élevée.
Samsung indique qu'il prévoit de produire un package DRAM HBM8 de 2 Go au cours de cette année, ce qui permettra aux concepteurs de bénéficier d'économies d'espace de plus de 95 % par rapport à la DRAM GDDR5. En conséquence, des solutions plus optimales pour les appareils compacts nécessitant des capacités de calcul graphique de haut niveau seront possibles.
Samsung ajoute qu'ils augmenteront progressivement le taux de volume de production de sa DRAM HBM2 au cours de l'année 2016 pour répondre à la demande du marché pour les systèmes de réseau et les serveurs.
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