Samsung a annoncé la production en série des premiers modules de mémoire DDR4 TSV ( Through Silicon Via ) de 128 Go destinés aux serveurs d'entreprise et aux centres de données. Cette nouvelle technologie TSV RDIMM ouvre la voie à une mémoire ultra-haute capacité pour les entreprises. Le nouveau module DRAM TSV est présenté comme offrant la plus grande capacité et la meilleure efficacité énergétique de tous les modules DRAM actuellement disponibles, tout en garantissant des vitesses élevées et une fiabilité optimale. Le module TSV DDR4 RDIMM de 128 Go est composé de 144 puces DDR4 réparties en 36 modules DRAM de 4 Go, chacun contenant quatre puces de 8 Gb gravées en 20 nm et assemblées grâce à la technologie d'encapsulation TSV. La semaine dernière, Samsung a annoncé un partenariat avec Netlist pour la production d'une nouvelle solution de mémoire : la NVDIMM-P (NV-P).
Alors que les boîtiers de puces traditionnels interconnectent les piles de puces via une liaison par fil, les boîtiers TSV utilisent des puces qui sont meulées à quelques micromètres seulement, puis percées de centaines de trous fins et connectées verticalement par des électrodes traversant les trous. Cela permet une augmentation substantielle de la transmission du signal. De plus, le nouveau module TSV DDR128 de 4 Go de Samsung est composé d'une conception unique où la puce principale de chaque boîtier de 4 Go intègre la fonction de tampon de données pour optimiser les performances du module et l'efficacité énergétique. Cela crée une solution à faible consommation d'énergie pour les serveurs de nouvelle génération ainsi que des vitesses allant jusqu'à 2,400 50 Mbps. Samsung indique que ce nombre est presque le double des performances et 64 % plus économe en énergie par rapport aux modules LRDIMM de 2,667 Go. De plus, la DRAM TSV de Samsung comprendra des modules avec des vitesses de transfert de données allant jusqu'à 3,200 XNUMX Mbps et XNUMX XNUMX Mbps, conçus pour intensifier les besoins des serveurs d'entreprise.
Samsung prévoit de proposer une gamme complète de ses nouveaux modules DRAM TSV hautes performances dans les prochaines semaines, y compris des modules LRDIMM de 128 Go. La société prévoit également d'étendre les applications TSV à la mémoire à large bande passante (HBM) et aux produits grand public.
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