Samsung a annoncé avoir développé la première puce mémoire à large bande passante du secteur, fabriquée à l'aide de la technologie 3D-TSV (Through Silicon Via) à 12 couches. La mémoire à large bande passante (HBM) est utilisée dans de nombreux composants informatiques pour les applications d'intelligence artificielle et d'apprentissage automatique, tels que les cartes graphiques haut de gamme, les FPGA, les processeurs et les périphériques réseau. Auparavant, la mémoire à large bande passante était limitée à 8 couches. Fondée en 1938, Samsung est une entreprise réputée pour ses produits électroniques et figure parmi les principaux acteurs de ce domaine depuis plusieurs années. Il s'agit de sa deuxième avancée majeure dans le domaine de la HBM cette année ; en mars dernier, elle avait annoncé le développement d'une puce HBM2E à très haute capacité, baptisée Flashbolt, offrant une bande passante de 410 Gbit/s et une capacité de mémoire de 16 Go.
La nouvelle technologie de Samsung empile 12 puces DRAM dans la même épaisseur de 720㎛ que leurs produits HBM8 à 2 couches actuels. Pour atteindre cette augmentation de cinquante pour cent de la densité, il faut plus de soixante mille trous TSV, ce qui représente un défi de production important et Samsung a été naturellement méfiant quant au moment exact où ces nouvelles puces seront disponibles pour que les fabricants commencent à les inclure dans leurs puces de traitement. La seule chose que Samsung nous a dit jusqu'à présent, c'est qu'ils seront bientôt en mesure de les produire en série, ce qui suggère qu'ils n'ont même pas encore finalisé les lignes de production. Une fois que les fabricants ont mis la main dessus, ils ne devraient pas tarder à se retrouver entre les mains des consommateurs, car ils partagent la même épaisseur (et probablement une autre dimension de facteur de forme, bien que Samsung ne l'ait pas dit), comme la génération actuelle. de la mémoire HBM2.
Cela constitue la deuxième avancée dans la fabrication de HBM2 que Samsung a réalisée jusqu'à présent en 2019. En mars de cette année, Samsung a annoncé le développement d'une puce HBM2E nommée Flashbolt avec deux fois la capacité de mémoire, 16 Go, des puces actuellement sur le marché. En combinant les avancées présentées dans Flashbolt avec leur dernier développement leur permettant de regrouper la moitié du nombre de couches dans le même espace, Samsung prédit des chiffres très impressionnants pour leur prochaine puce mémoire à bande passante non encore nommée. Samsung indique que la nouvelle puce aura une capacité de 24 Go. Ils ne nous ont pas encore dit quelle sera la nouvelle bande passante.
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