Lors du Flash Memory Summit (FMS) 2017, Samsung Electronics Co., Ltd. a annoncé plusieurs nouvelles solutions et technologies de mémoire V-NAND (Vertical NAND). Ces nouvelles technologies incluent la première puce V-NAND de 1 To, un SSD NGSFF (Next Generation Small Form Factor) de 16 To, un Z-SSD avec une latence inférieure à NVMe et la technologie SSD à valeur clé. Ces nouvelles technologies visent à résoudre des problèmes tels que le besoin d'une densité plus élevée dans un encombrement réduit, l'augmentation des applications gourmandes en données en raison de l'intelligence artificielle et des technologies de l'Internet des objets (IoT), et le besoin de latences de plus en plus faibles.
Chaque année au FMS, Samsung organise un Tech Day qui lui permet de présenter ses derniers développements technologiques et de définir comment il va relever les défis de traitement de données de nouvelle génération. Cette année, la société présente une grande variété de nouvelles technologies V-NAND qui étendent la gamme de divers problèmes auxquels sont principalement confrontées les entreprises.
Un développement intéressant de la densité est l'introduction d'une puce V-NAND de 1 To (térabit). Bien que la société l'ait mentionné pour la première fois lors du lancement de la V-NAND 3D, la percée technologique vient tout juste d'être réalisée. Samsung est capable d'empiler 16 puces de 1 To sur une seule matrice, ce qui donne 2 To dans un seul package V-NAND. Cela augmentera considérablement la densité des SSD sans passer à un facteur de forme plus grand. Pour les industries qui recherchent plus de densité dans la même empreinte, Samsung peut avoir une réponse pour eux.
En parlant de bosses de densité, Samsung a également présenté un nouveau SSD NGSFF pouvant atteindre 16 To et ne mesurant que 30.5 mm x 110 mm x 4.38 mm. Ce nouveau disque est spécialement conçu pour les serveurs 1U qui ont besoin de plus de capacité et d'IOPS plus élevées. Samsung déclare qu'un seul serveur 1U peut être mis à l'échelle jusqu'à 576 To (en utilisant 36 des nouveaux SSD NGSFF) ou avoir plus de 1 Po dans un espace 2U en ajoutant un autre serveur. La société affirme également que les disques combinés peuvent atteindre 10 millions d'IOPS en lecture aléatoire.
L'année dernière, Samsung a présenté la technologie Z-SSD sans fournir de détails précis . Cette année, l'entreprise propose un produit Z-SSD, le SZ985, mais sans toujours expliquer sa nature ni son fonctionnement. Ce nouveau disque afficherait une latence de lecture de 15 microsecondes, meilleure que celle des SSD NVMe. Un atout considérable pour l'analyse en temps réel ou la mise en cache de serveurs ultra-rapides. Quant à la nature exacte de cette technologie, ou Z-NAND, elle reste un mystère, Samsung restant très discret, peut-être même un peu trop, compte tenu du développement du produit.
Enfin, Samsung a introduit la technologie SSD à valeur clé, qui permet de traiter plus efficacement des ensembles de données complexes, ce qui rend la technologie NAND existante plus rapide. Au lieu de convertir les données en blocs à traiter, la technologie attribue une « clé » ou un emplacement spécifique à chaque « valeur » ou élément de données d'objet, quelle que soit sa taille. La clé permet l'adressage direct d'un emplacement de données, ce qui permet à son tour de faire évoluer le stockage. Cette nouvelle technologie bénéficierait principalement aux services de médias sociaux et aux applications IoT.
Disponibilité
La technologie V-NAND de 1 To par puce devrait être disponible l'année prochaine. Samsung a l'intention de produire en masse les nouveaux SSD NGSFF au cours du quatrième trimestre de cette année.
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