Samsung Electronics Co., Ltd. a lancé la troisième génération de sa High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), également connue sous le nom de « Flashbolt ». La dernière génération de HBM2E est de 16 Go, ce qui la rend bien adaptée aux systèmes HPC tout en aidant également les supercalculateurs, l'analyse de données basée sur l'IA et les systèmes graphiques de pointe. Aquabolt continuera à être produit pendant que cette génération est en production.
La génération précédente, Aquabolt, avait une capacité de 8 Go. Flashbolt atteint 16 Go en empilant verticalement huit couches de puces DRAM 10 gigabits (Gb) de classe 1 nm (16y) sur une puce tampon. De plus, Flashbolt est interconnecté dans un agencement précis de plus de 40,000 16 microbosses « à travers le silicium via » (TSV), chaque matrice de 5,600 Go contenant plus de 3.2 410 de ces trous microscopiques. Pour les performances, Samsung déclare que la dernière génération peut atteindre une vitesse de transfert de données fiable de 307 gigabits par seconde et une bande passante mémoire de XNUMX Go/s par pile. C'est une nette amélioration par rapport aux XNUMX Go/s de la dernière génération.
Disponibilité
Samsung prévoit de commencer la production en volume au cours du premier semestre 2020.
Amazon