Samsung a annoncé avoir commencé la production de masse de la première mémoire flash V-NAND tridimensionnelle (3D) du secteur utilisant 32 couches de cellules empilées verticalement, son offre V-NAND de deuxième génération. La V-NAND 32D à 3 couches de Samsung (ou Vertical NAND) nécessite un niveau supérieur de technologie de conception pour empiler les matrices de cellules que la précédente V-NAND à 24 couches ; cependant, il offre toujours une efficacité de production bien supérieure car Samsung utilisera essentiellement le même équipement que celui utilisé pour la production de la V-NAND de première génération.
Samsung vient de lancer une gamme de SSD haut de gamme pour le grand public, basée sur sa mémoire flash V-NAND de deuxième génération et offrant des capacités de stockage de 128 Go, 256 Go, 512 Go et 1 To. Après avoir introduit des SSD 3D V-NAND dans les centres de données l'année dernière, Samsung étend désormais sa gamme de SSD V-NAND aux applications PC haut de gamme. Ces nouveaux SSD offrent une endurance en écriture environ deux fois supérieure et une consommation d'énergie réduite de 20 % par rapport aux disques NAND MLC planaires (2D). Samsung prévoit de lancer d'autres SSD 3D basés sur cette génération de mémoire V-NAND plus tard dans l'année, offrant une fiabilité et une densité encore plus élevées.
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