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SanDisk et Toshiba annoncent une mémoire flash NAND 15 nm

Entreprise  ◇  SSD

SanDisk et Toshiba ont annoncé qu'ils prévoyaient de commencer les expéditions en volume de NAND 15 nm au cours du second semestre de cette année. Jusqu'à présent, la qualité de production NAND s'est largement glissée dans la gamme 19/20 nm. La joint-venture étendra la technologie flash 15 nm à des architectures de mémoire flash NAND à deux bits par cellule et à trois bits par cellule. Le travail sera effectué dans Fab 5, en remplacement de la fabrication NAND 19nm. Une deuxième étape de Fab 5 est actuellement en construction qui gérera également la NAND 15 nm.

SanDisk appelle le nœud de processus "le plus avancé de l'industrie… nous permettant de fournir les puces 128 gigabits les plus petites et les plus rentables au monde". L'entreprise s'appuie sur des innovations de processus et de conception pour faire évoluer les puces sur les deux axes.En outre, SanDisk intègre son architecture All-Bit-Line (ABL) qui héberge ses propres algorithmes de programmation et schémas de gestion du stockage sans affecter les performances ou la fiabilité. devraient offrir les mêmes performances d'écriture que la technologie 19 nm, mais avec un taux de transfert de données 30 % plus rapide grâce à une nouvelle interface plus rapide.

Bien que les détails soient minces au-delà des points forts de la technologie, SanDisk et Toshiba prévoient d'utiliser la NAND 15 nm dans toutes leurs solutions flash, des cartes mémoire aux solutions SSD d'entreprise. 

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Brian Beeler

Brian est situé à Cincinnati, Ohio et est l'analyste en chef et le président de StorageReview.com.