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SK hynix expédie des échantillons HBM4E à 12 broches : 16 Gbps par broche et modules de 48 Go.

AI  ◇  Entreprise

SK hynix annonce avoir expédié des échantillons de sa mémoire HBM4E (High Bandwidth Memory) à 12 cellules à des clients majeurs, franchissant ainsi une nouvelle étape dans son plan de développement de mémoires pour l'IA. L'entreprise précise que les échantillons ont été livrés dans les délais et qu'elle collaborera étroitement avec ses partenaires pour une production en série rapide.

La mémoire HBM4E s'appuie sur la gamme HBM de l'entreprise en améliorant la bande passante et l'efficacité énergétique, notamment pour les charges de travail d'entraînement et d'inférence en intelligence artificielle. SK hynix annonce que cette nouvelle mémoire offre un débit allant jusqu'à 16 Gbit/s par broche, tout en améliorant l'efficacité énergétique de plus de 20 % par rapport aux produits de la génération précédente.

Graphique SK hynix HBM4E

L'entreprise a également introduit une nouvelle interface et des optimisations de conception visant à réduire la latence des transferts de données et à améliorer la stabilité en conditions d'utilisation à large bande passante. Ces améliorations sont conçues pour prendre en charge les centres de données d'IA et les plateformes de calcul à grande échelle qui nécessitent un débit mémoire toujours plus élevé.

Le module HBM4E à 12 puces atteint une capacité de 48 Go grâce à la technologie d'encapsulation avancée MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) de SK hynix. Le procédé MR-MUF consiste à injecter un matériau de moulage liquide entre les puces empilées afin d'améliorer l'intégrité structurelle et de protéger les circuits internes. Selon l'entreprise, cette conception améliorée offre également une résistance à la chaleur supérieure de 17 % à celle de la HBM4, contribuant ainsi à garantir la fiabilité des systèmes d'IA hautes performances.

SK hynix a déclaré que ce nouveau produit tire parti de l'expérience acquise en matière de fabrication et d'encapsulation grâce aux générations précédentes, notamment HBM3, HBM3E et HBM4. L'entreprise prévoit que la mémoire HBM4E répondra aux besoins croissants en bande passante mémoire à mesure que l'infrastructure d'IA continue de se développer.

Ahn Hyun, président et directeur du développement de SK hynix, a déclaré que l'entreprise avait posé les bases d'un leadership renforcé en IA grâce à la technologie HBM4E, s'appuyant sur ses capacités technologiques et son expertise en matière de fabrication. Il a ajouté que SK hynix collaborerait étroitement avec ses partenaires pour apporter la valeur ajoutée dont le marché a besoin, tout en consolidant son leadership technologique en tant que créateur de solutions complètes de mémoire pour l'IA.

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Harold Fritt

Je suis dans l'industrie de la technologie depuis qu'IBM a créé Selectric. Ma formation, cependant, est l'écriture. J'ai donc décidé de sortir de l'avant-vente et de revenir à mes racines, en écrivant un peu mais en restant impliqué dans la technologie.