Aujourd'hui, Spin Memory a annoncé une nouvelle technologie de production de RAM (Random-Access Memory) qui améliore la densité de la mémoire (et donc la capacité) d'au moins 20 %. La société affirme que certaines conceptions de puces peuvent intégrer jusqu'à cinq fois plus de mémoire dans la même zone d'encombrement avec des coûts de traitement de tranche supplémentaires minimes en adoptant leur nouvelle technologie. Spin Memory (rebaptisé et rebaptisé Spin Transfer Technologies il y a quelques années) a été fondé en 2007. Spin Memory a fait des recherches agressives sur les améliorations de la RAM, en particulier la MRAM.
Spin appelle sa nouvelle technologie le sélecteur universel. Le sélecteur universel de Spin Memory est un transistor sélectif à cellule épitaxiale verticale. Selon la société, ils sont capables de faire fonctionner la cellule en pleine déplétion en utilisant une faible concentration de dopage. En partie à cause de cette caractéristique de conception, la cellule de sélecteur universel peut être complètement isolée électriquement du substrat de silicium. Cet isolement devrait réduire les taux d'erreurs logicielles dans les puces RAM et réduire l'efficacité des attaques Rowhammer. Spin Memory dit qu'il travaille actuellement avec la NASA sur le développement de solutions DRAM (Dynamic Random-Access Memory) à faible SER et à l'épreuve des marteaux de ligne.
Spin Memory pense qu'il peut améliorer la densité de la matrice DRAM entre 20% et 35% grâce à sa configuration de cellule binaire DRAM 4F2. La DRAM est le même type de mémoire que la plupart des ordinateurs personnels utilisent. Le nombre 4F2 doit être lu comme un 4 avec une unité de F2. F2 est une unité de mesure comme les nanomètres, les livres ou les dollars. F2 est l'unité utilisée pour décrire l'espace occupé par chaque élément, ou bit, dans une zone bidimensionnelle. De manière critique, cela ne dit rien sur la hauteur ou la profondeur du matériel nécessaire pour stocker un seul bit, seulement sa surface. Dans l'ensemble, une conception 4F2 contient 50 % de mémoire en plus qu'une conception 6F2 dans le même espace, en supposant un comportement d'empilement vertical similaire.
Pour les mémoires émergentes telles que MRAM (mémoire à accès aléatoire magnétorésistive), ReRAM (mémoire à accès aléatoire résistive) et PCRAM (mémoire à accès aléatoire à changement de phase), Spin Memory affirme que le sélecteur universel permet aux fabricants de créer des cellules de bits de mémoire 1T1R de 6F2 – 10F2. Cela permettrait aux fabricants d'intégrer jusqu'à cinq fois plus de mémoire dans la même zone d'encombrement avec des coûts de traitement de plaquette supplémentaires minimes. La MRAM est un domaine d'intérêt pour Spin Memory depuis sa création. Le principal avantage de la MRAM par rapport à la DRAM est que la MRAM est non volatile et peut perdre de la puissance sans perdre de données. Son principal inconvénient, avant aujourd'hui, était qu'il est moins dense, c'est-à-dire qu'il ne peut pas stocker autant de données dans le même espace. Bien qu'une conception 6F2 ne comble pas complètement l'écart, elle place les puces MRAM à une distance de cri de la DRAM de génération actuelle.
Spin Memory prévoit de partager des détails techniques supplémentaires sur son sélecteur universel plus tard ce mois-ci. Le jeudi 20 août, le Dr Kadriye Deniz Bozdag, responsable des tests MRAM chez Spin Memory, fera une présentation lors de la 31e conférence sur l'enregistrement magnétique de Berkeley.
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