Nowy dysk SSD Samsunga 990 dołącza do oferty konsumenckiej jako popularny dysk PCIe Gen4, który stawia na wydajność i wartość, a nie na samą prędkość. Samsung nazywa go swoim najbardziej energooszczędnym dyskiem SSD, deklarując nawet o 38% lepszą efektywność energetyczną niż poprzedni. 990 PROModel 2 TB oferuje prędkość odczytu sekwencyjnego 7,250 MB/s i zapisu 6,450 MB/s, z losowym wejściem/wyjściem do 850 tys. IOPS przy odczycie i 1,200 tys. IOPS przy zapisie. Model 1 TB oferuje nieco niższe prędkości: 7,150 MB/s przy odczycie sekwencyjnym, 700 tys. IOPS przy odczycie losowym i 1,100 tys. IOPS przy zapisie losowym. Dyski o pojemności 1 TB i 2 TB są dostępne w sugerowanych cenach detalicznych odpowiednio 269.99 USD i 529.99 USD.
Nazwa zasługuje na skromne wyjaśnienie. Rodzina 990 firmy Samsung obejmuje już modele 990 PRO, 990 EVO i 990 EVO Plus. Zwykły „990” znajduje się teraz obok nich jako dysk SSD klasy podstawowej, a nie jako początek nowej generacji. Łączy on kontroler firmy Samsung z pamięcią V-NAND (więcej na ten temat później) w konstrukcji bez pamięci DRAM, która opiera się na buforze pamięci hosta. Dysk ma trzyletnią gwarancję, w porównaniu do pięcioletniej gwarancji modelu PRO, i jest przeznaczony do zapisu 400 TB i 800 TB przy pojemnościach 1 TB i 2 TB. Odczyt sekwencyjny dorównuje 990 EVO Plus, osiągając 7,250 MB/s, ale ustępuje 7,450 MB/s modelu 990 PRO. Wartość losowego odczytu IOPS wynosząca 850 tys. jest znacznie niższa niż 1,400 tys. w modelu PRO. Samsung koncentruje się na dwóch liczbach: sekwencyjny zapis jest o ponad 50% szybszy niż w przypadku 990 EVO, a wydajność wzrasta o 38%; 1,686 MB/s na wat przy odczycie 2 TB w porównaniu z 1,221 MB/s na wat w przypadku 990 PRO w wewnętrznych testach Samsunga. Klienci, dla których priorytetem jest sama prędkość, mają już dyski Samsung Gen5 9100 PRO , które testowaliśmy w momencie premiery, a także w wersji o pojemności 8 TB , więc 990 nie ma być bezpośrednią konkurencją dla tych dysków.
Samsung już wcześniej przebył tę drogę. Model 980 , jego pierwszy konsumencki dysk NVMe bez pamięci DRAM, trafił do naszego laboratorium w 2021 roku i pozostawił po sobie kiepskie wrażenie. Mniejsze pojemności, w szczególności, znalazły się na samym dole naszych list rankingowych, a dysk był nieustannie wyśmiewany w laboratorium. Jednak od tego czasu rynek zmienił się diametralnie. Rozwiązania w zakresie sztucznej inteligencji pochłaniają podaż pamięci NAND i DRAM, ceny komponentów rosną, a konsumenci odczuwają presję na całym rynku. W takich warunkach dysk Gen4, oferujący solidną prędkość sekwencyjną, niskie zużycie energii i przyzwoitą pojemność, zaczyna wydawać się rozsądnym wyborem, pod warunkiem, że cena detaliczna będzie na to pozwalać.
Jedną ze specyfikacji, której Samsung odmówił podania, jest sama pamięć NAND. W przewodniku dla recenzentów wymieniono jedynie „Samsung V-NAND”. Gdy zapytaliśmy bezpośrednio, firma odpowiedziała, że nie może ujawnić szczegółów dotyczących komponentów poza oficjalnymi specyfikacjami, odsyłając nas do znamionowej wydajności i „najnowszej technologii Samsung V-NAND”. Pozostaje nam więc czytanie między wierszami, które wskazują na TLC, a nie QLC. Specyfikacja wytrzymałości jest podpowiedzią: 400 TB i 800 TB w ciągu trzyletniej gwarancji daje około 133 TB i 267 TB zapisów rocznie, zasadniczo tyle samo, co 600 TB i 1,200 TB w przypadku modelu 990 PRO w ciągu pięciu lat. Najbardziej prawdopodobną odpowiedzią jest zastosowanie w tym dysku pamięci Samsung TLC V-NAND o niższej pojemności lub tańsza opcja z krótszą gwarancją, aby dysk był bardziej przystępny cenowo. Dziwne, że celowo unikają podania tego, co zazwyczaj jest podstawową specyfikacją.
Nasz egzemplarz testowy to model o pojemności 2 TB (MZ-V9V2T0), egzemplarz przedprodukcyjny z oprogramowaniem sprzętowym 0B2QLXL7, który poddaliśmy testom obciążeniowym modeli fio, GDS i AI, szczegółowo opisanym poniżej.
Specyfikacja dysku SSD Samsung 990
| Specyfikacja | Samsung 990 1TB | Samsung 990 2TB |
|---|---|---|
| Omówienie platformy | ||
| Interfejs | PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0 (wsteczna kompatybilność z PCIe 3.0) | |
| Form Factor | M.2 2280 Maks. 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm) |
|
| kontroler | Kontroler wewnętrzny Samsunga | |
| NAND | V-NAND Samsunga | |
| Pamięć podręczna | HMB (bufor pamięci hosta), bez pamięci DRAM | |
| Kod modelu | MZ-V9V1T0 | MZ-V9V2T0 |
| Wydajność | ||
| Sekwencyjny odczyt | Do 7,150MB / s | Do 7,250MB / s |
| Zapis sekwencyjny | Do 6,450MB / s | Do 6,450MB / s |
| Losowe czytanie | Do 700 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS) | Do 850 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS) |
| Losowy zapis | Do 1,100 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS) | Do 1,200 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS) |
| Moc i wytrzymałość | ||
| Moc czynna (średni odczyt) | 4.0W | 4.3W |
| Moc czynna (średni zapis) | 3.7W | 3.8W |
| Moc biegu jałowego (typowa) | PS3 55 mW (APST włączony) 3mW PS4 (poziom 1.2) |
|
| Wytrzymałość (TBW) | 400TB | 800TB |
| MTBF | 1.5 milion godzin | |
| Gwarancja | 3 roku ograniczone | |
| Udogodnienia | ||
| Funkcje pomocnicze | TRIM (wymagana obsługa systemu operacyjnego) Zbieranie śmieci SMART |
|
| Zabezpieczenia danych | Pełne szyfrowanie dysku AES 256-bit TCG/Opal V2.0 Dysk szyfrowany (IEEE1667) |
|
| Oprogramowanie | Samsung Magician 9.0 | |
| MSRP | $269.99 | $529.99 |
Projekt i budowa dysku SSD Samsung 990
Samsung 990 wykorzystuje znany format M.2 2280 o wymiarach do 80.15 x 22.15 x 2.38 mm. Ma jednostronną konstrukcję i jest dostępny bez dedykowanego radiatora. Dzięki temu idealnie pasuje do notebooków, kompaktowych komputerów PC i płyt głównych komputerów stacjonarnych z własnym chłodzeniem M.2. Ogólna konstrukcja jest prosta, a Samsung umieścił kontroler, pamięć NAND i obwody pomocnicze po jednej stronie płytki PCB.
Na przedniej etykiecie znajduje się logo Samsung 990, pojemność 2 TB, numer modelu, oprogramowanie układowe i specyfikacja elektryczna. Brak zintegrowanego radiatora, więc chłodzenie opiera się na przepływie powietrza i dostarczonym przez użytkownika radiatorze M.2.
Po usunięciu etykiety widać wewnętrzny kontroler Samsunga umieszczony blisko złącza M.2, otoczony elementami zasilania. Pamięć NAND znajduje się na drugim końcu płytki, pozostawiając sporo niewykorzystanej przestrzeni pośrodku. Ponieważ jest to dysk bez pamięci DRAM, na płytce drukowanej nie ma osobnego układu DRAM.
Tylną część dysku zajmuje głównie etykieta z oznaczeniami norm, bez żadnych aktywnych komponentów pod spodem. Ponownie, ponieważ dysk 990 ma układ jednostronny, powinien łatwiej zmieścić się w cienkich laptopach i kompaktowych systemach, gdzie przestrzeń wokół gniazda M.2 może być ograniczona.
Od strony programowej, 990 jest zarządzany za pomocą Samsung Magician 9.0, który obejmuje podstawowe funkcje: aktualizacje oprogramowania układowego, monitorowanie stanu dysku i SMART, skanowanie diagnostyczne, testy porównawcze i bezpieczne wymazywanie danych, a także konfigurację 256-bitowego szyfrowania AES dysku. Nie ma potrzeby konfigurowania niczego specyficznego dla 990, ponieważ konfiguracja HMB nie wymaga dostrajania przez użytkownika. Warto zainstalować ją przy pierwszym uruchomieniu, aby zachować aktualność oprogramowania układowego, a Magician to generalnie bardzo wydajne narzędzie o dużej wartości dodanej.
Wydajność Samsunga 990
Maksymalna wydajność syntetyczna
Test FIO to elastyczne i wydajne narzędzie testowe do pomiaru wydajności urządzeń pamięci masowej, w tym dysków SSD i HDD. Ocenia ono takie parametry, jak przepustowość, IOPS i opóźnienie przy różnych obciążeniach, takich jak sekwencyjne i losowe operacje odczytu/zapisu. Test ten pomaga ocenić szczytową wydajność systemów pamięci masowej, co czyni go przydatnym do porównywania różnych urządzeń lub konfiguracji. W tym teście zmierzyliśmy szczytową wydajność w trybie burst, ograniczając obciążenie do 10 GB na obu dyskach SSD.
Maksymalna wydajność syntetyczna: Samsung 990 osiągnął 7,177 MB/s przy odczycie sekwencyjnym, 6,070 MB/s przy zapisie sekwencyjnym, 872 tys. losowych operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS) przy odczycie i 1.08 mln losowych operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS), co plasuje go blisko końca w tej grupie porównawczej PCIe Gen4/Gen5. W porównaniu z Samsungiem 990 Pro, 990 był o około 4% gorszy w odczycie sekwencyjnym, ale o 15.7% gorszy w zapisie sekwencyjnym, 37.7% gorszy w losowym odczycie i 23.0% gorszym w losowym zapisie. W porównaniu z najszybszym dyskiem Gen5, SanDisk SN8100, różnica ta znacznie się powiększyła – 990 zanotował około 52% niższą przepustowość sekwencyjnego odczytu, 57% niższą przepustowość sekwencyjnego zapisu, 62% niższą wydajność losowego odczytu i 50% niższą wydajność losowego zapisu.
| Test FIO (im wyższa wartość MB/s/IOPS tym lepiej) | Sekwencyjny odczyt 128 KB (1T/64Q) | Sekwencyjny zapis 128 KB (1T/64Q) | Losowy odczyt 4K (16T/32Q) | Losowy zapis 4K (16T/32Q) |
|---|---|---|---|---|
| SanDisk SN8100 | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.56 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.59 ms) | 2.312 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.22 ms) | 2.144 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.24 ms) |
| Kingston Fury Renegade G5 | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.57 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.59 ms) | 2.028 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.25 ms) | 2.028 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.25 ms) |
| Samsung 9100 Pro | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.57 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.63 ms) | 2.734 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.18 ms) | 2.734 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.19 ms) |
| SK hynix Platinum P51 | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.58 ms) | 13,500 MB/s (średnie opóźnienie 0.62 ms) | 2.369 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.22 ms) | 2.669 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.19 ms) |
| Kluczowy T705 | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.58 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.68 ms) | 1.585 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.32 ms) | 2.703 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.19 ms) |
| TEAMGROUP GE Pro 2TB | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.60 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.65 ms) | 2.585 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.23 ms) | 1.818 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.28 ms) |
| Lexar Professional NM1090 PRO | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.61 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.62 ms) | 2.251 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.23 ms) | 1.818 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.28 ms) |
| TEAMGROUP GC Pro 2TB | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.62 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.66 ms) | 2.110 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.24 ms) | 1.686 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.28 ms) |
| PNY CS2150 | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.80 ms) | 8,801 MB/s (średnie opóźnienie 0.95 ms) | 1.379 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.371 ms) | 1.623 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.32 ms) |
| Corsair MP700 MICRO 4TB | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.91 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.06 ms) | 1.277 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.40 ms) | 1.540 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.33 ms) |
| Kluczowy P510 | 8,835 MB/s (średnie opóźnienie 0.90 ms) | 9,961 MB/s (średnie opóźnienie 0.80 ms) | 1.163 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.44 ms) | 1.196 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.51 ms) |
| Mikron 3610 2TB | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.23 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.87 ms) | 1.523 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.34 ms) | 1.871 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.27 ms) |
| Samsung 990 Pro | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.12 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.16 ms) | 1.400 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.36 ms) | 1.403 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.36 ms) |
| Kluczowe P310 2 TB | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.16 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.31 ms) | 1.163 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.44 ms) | 1.196 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.43 ms) |
| Samsung 990 2TB | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.17 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.38 ms) | 872 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.59 ms) | 1.08 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.47 ms) |
| WD SN850X 2TB | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.76 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 0.92 ms) | 1.2 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.43 ms) | 825 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.62 ms) |
| Mikron 2600 2TB | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.47 ms) | 10 400 MB/s (średnie opóźnienie 1.27 ms) | 1.11 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.46 ms) | 1.36 mln operacji wejścia/wyjścia na sekundę (średnie opóźnienie 0.38 ms) |
Średni czas ładowania LLM
Test średniego czasu ładowania LLM (Lightly LLM Load Time) oceniał czasy ładowania trzech różnych modeli LLM: DeepSeek R1 7B, Meta Llama 3.2 11B i DeepSeek R1 32B. Każdy model został przetestowany 10 razy, a następnie obliczono średni czas ładowania. Test ten mierzy zdolność dysku do szybkiego ładowania dużych modeli językowych (LLM) do pamięci. Czasy ładowania LLM mają kluczowe znaczenie dla zadań związanych ze sztuczną inteligencją (AI), zwłaszcza w przypadku wnioskowania w czasie rzeczywistym i przetwarzania dużych zbiorów danych. Szybsze ładowanie umożliwia modelowi szybsze przetwarzanie danych, co poprawia responsywność AI i skraca czas oczekiwania.
Średni czas ładowania LLM: Ładowanie modelu AI było najsłabszym testem dysku Samsung 990, który uplasował się na najniższym lub bliskim końcu we wszystkich trzech obciążeniach. W przypadku DeepSeek R1 7B dysk osiągnął 5.06 sekundy, w przypadku Meta Llama 3.2 11B Vision 7.61 sekundy, a w przypadku DeepSeek R1 32B 7.86 sekundy. W porównaniu z najszybszym dyskiem, SK hynix Platinum P51, Samsung 990 potrzebował około 99% więcej czasu na załadowanie modelu 7B, 112% więcej czasu na załadowanie modelu 11B Vision i 88% więcej czasu na załadowanie modelu 32B. Bardziej interesującym wynikiem jest Samsung 990 Pro, który plasuje się na dole tych zestawień, tuż obok swojego tańszego odpowiednika: 990 wyprzedził Pro o około 1% w obciążeniu 7B, a w modelu Vision 11B o 15% i o 8% w modelu 32B. Cokolwiek dyski Samsunga Gen4 tracą w tym obciążeniu, tracą razem, więc przejście na Pro niewiele daje w kwestii ładowania modelu AI.
| Średni czas ładowania LLM (im niższy, tym lepiej) | Głębokie wyszukiwanie R1 7B | Meta Llama 3.2 11B Vision | Głębokie wyszukiwanie R1 32B |
|---|---|---|---|
| SK hynix Platinum P51 | 2.5481s | 3.5809s | 4.1790s |
| SanDisk SN8100 | 2.5702s | 3.5856s | 4.2870s |
| Samsung 9100 Pro 4 TB | 2.6173s | 3.6017s | 4.3735s |
| PNY CS2150 | 2.8107s | 3.6820s | 4.8962s |
| Crucial T705 2TB | 2.8758s | 3.6312s | 5.1080s |
| Kluczowe P510 1 TB | 2.8817s | 3.6631s | 5.0594s |
| TEAMGROUP GE Pro 2TB | 2.9092s | 3.9136s | 4.8974s |
| TEAMGROUP GC Pro 2TB | 2.9379s | 3.9267s | 4.8188s |
| WD SN850X 2TB | 3.0082s | 3.6543s | 5.4844s |
| Kingston Fury Renegade G5 | 3.1843s | 4.8009s | 4.6523s |
| Kluczowe P310 2 TB | 3.1889s | 3.7083s | 5.4844s |
| Lexar Professional NM1090 PRO | 3.2135s | 4.9504s | 7.2108s |
| Mikron 2600 2TB | 3.3178s | 3.9174s | 5.9060s |
| Corsair MP700 MICRO 4TB | 3.4694s | 5.2106s | 5.3990s |
| Mikron 3610 2TB | 3.5348s | 5.3853s | 5.5731s |
| Samsung 990 2TB | 5.0645s | 7.6087s | 7.8619s |
| Samsung 990 Pro 2 TB | 5.1255s | 6.6051s | 7.3021s |
Jednym z testów przeprowadzonych na tym stanowisku testowym był test Magnum IO GPU Direct Storage (GDS). GDS to funkcja opracowana przez firmę NVIDIA, która pozwala procesorom graficznym ominąć procesor główny (CPU) podczas uzyskiwania dostępu do danych przechowywanych na dyskach NVMe lub innych szybkich urządzeniach pamięci masowej. Zamiast kierować dane przez procesor i pamięć systemową, GDS umożliwia bezpośrednią komunikację między procesorem graficznym a urządzeniem pamięci masowej, znacznie zmniejszając opóźnienia i poprawiając przepustowość danych.
Jak działa bezpośrednie przechowywanie danych GPU
Tradycyjnie, gdy procesor graficzny (GPU) przetwarza dane przechowywane na dysku NVMe, dane muszą najpierw przejść przez procesor (CPU) i pamięć systemową, zanim dotrą do procesora graficznego (GPU). Proces ten wprowadza wąskie gardła, ponieważ procesor (CPU) działa jako pośrednik, zwiększając opóźnienia i zużywając cenne zasoby systemowe. Technologia GPU Direct Storage eliminuje ten problem, umożliwiając procesorowi graficznemu bezpośredni dostęp do danych z urządzenia pamięci masowej za pośrednictwem magistrali PCIe. Ta bezpośrednia ścieżka zmniejsza obciążenie związane z przesyłaniem danych, umożliwiając szybsze i bardziej wydajne przesyłanie danych.
Obciążenia sztucznej inteligencji, zwłaszcza te wykorzystujące uczenie głębokie, charakteryzują się wysoką intensywnością przetwarzania danych. Trenowanie dużych sieci neuronowych wymaga przetwarzania terabajtów danych, a każde opóźnienie w transferze danych może prowadzić do niewykorzystania procesorów graficznych (GPU) i wydłużenia czasu trenowania. Technologia GPU Direct Storage rozwiązuje ten problem, zapewniając jak najszybsze dostarczanie danych do procesora graficznego (GPU), minimalizując czas przestoju i maksymalizując wydajność obliczeniową.
Ponadto GDS jest szczególnie przydatny w przypadku obciążeń wymagających strumieniowego przesyłania dużych zbiorów danych, takich jak przetwarzanie wideo, przetwarzanie języka naturalnego czy wnioskowanie w czasie rzeczywistym. Zmniejszając zależność od procesora, GDS przyspiesza przesyłanie danych i uwalnia zasoby procesora do innych zadań, co dodatkowo zwiększa ogólną wydajność systemu.
Przepustowość po stronie odczytu stale rosła wraz ze wzrostem liczby wątków. Przy rozmiarze bloku 1 MB, Samsung 990 rozpoczął od 2.27 GiB/s w pojedynczym wątku i osiągnął szczyt na poziomie 2.89 GiB/s przy 64 wątkach, a następnie ustabilizował się na 2.79 GiB/s przy 128 wątkach. Rozmiar bloku 128 KB podążał podobną krzywą, wzrastając z 1.21 GiB/s przy 1 wątku do 2.12 GiB/s przy 128 wątkach, co stanowi wzrost o około 75%. Rozmiar bloku 16 KB zachowywał się inaczej. Osiągał szczyt przy pojedynczym wątku (0.82 GiB/s), gwałtownie spadał po wprowadzeniu współbieżności i ustabilizował się na poziomie około 0.3 GiB/s od 8 wątków. Ten wzorzec jest zgodny z nasyceniem operacji wejścia/wyjścia małych bloków na podstawie narzutu na operację, a nie surowej przepustowości.
Opóźnienie skalowało się zgodnie z oczekiwaniami, rosnąc wraz z liczbą wątków. Przy 1M średnie opóźnienie wzrosło z 430 mikrosekund na jednym wątku do 44.7 milisekundy na 128 wątkach, co stanowi wzrost około 100-krotny, odzwierciedlający zwiększoną głębokość kolejki dzięki większej liczbie współbieżnych wątków pamięci masowej GPUDirect. Rozmiary bloków 128K i 16K wykazywały tę samą tendencję wzrostową, osiągając odpowiednio 7.4 milisekundy i 6.2 milisekundy przy 128 wątkach. Co ciekawe, 16K charakteryzował się najniższym opóźnieniem pojedynczego wątku spośród trzech (18 mikrosekund), co odzwierciedla mniejszy ładunek na operację, mimo że jego ogólna przepustowość była najniższa.
Przepustowość zapisu różniła się w zależności od rozmiaru bloku. Rozmiar bloku 1M wyróżniał się, skacząc z 0.32 GiB/s przy pojedynczym wątku do 3.89 GiB/s przy 8 wątkach, co stanowiło jego szczyt, po czym nieznacznie spadł do 3.63 GiB/s przy 128 wątkach wraz ze wzrostem obciążenia kolejkowania. Rozmiary bloków 128K i 16K pozostały na tym samym poziomie w całym zakresie wątków, oscylując w okolicach 0.3 GiB/s, niezależnie od współbieżności. Sugeruje to, że ścieżka zapisu jest ograniczona przez obciążenie wejścia/wyjścia lub kolejkowanie kontrolera, a nie przez przepustowość przy tych rozmiarach.
Opóźnienie zapisu wzrosło gwałtowniej niż odczytu, szczególnie przy 128 KB, gdzie wzrosło z 382 mikrosekund w jednym wątku do 51.0 milisekund w 128 wątkach – to najwyższa wartość odnotowana zarówno w testach zapisu, jak i odczytu. Rozmiar bloku 1 MB wykazał nietypowy spadek, a opóźnienie spadło z 3.06 milisekundy w jednym wątku do 1.03 milisekundy w czterech wątkach, prawdopodobnie dlatego, że pojedynczy wątek nie był jeszcze w stanie nasycić ścieżki zapisu, a następnie stale rosło do 34.4 milisekundy w 128 wątkach. Rozmiar bloku 16 KB pozostał najbardziej stabilny, zamykając cykl na poziomie 9.1 milisekundy, najniższym pułapie spośród trzech rozmiarów bloków.
Wniosek
Samsung 990 nie goni za czołówką rankingów, co wyraźnie pokazują liczby. W każdym przeprowadzonym przez nas teście FIO ustępował modelowi 990 Pro – od 4% różnicy w odczycie sekwencyjnym do 38% spadku w odczycie losowym IOPS – i wypadł znacznie gorzej od najszybszych dysków Gen4 i Gen5 w tej grupie porównawczej. Podobnie przedstawia się sytuacja z obciążeniem modelu AI – 990 i 990 Pro znalazły się razem na końcu stawki; 990 wyprzedził swojego odpowiednika z serii Pro w obciążeniu DeepSeek R1 7B, podczas gdy większe modele traciły od 8 do 15%. Klienci potrzebujący maksymalnej przepustowości dla wymagających obciążeń powinni rozważyć inne modele Samsunga, zaczynając od Gen5 9100 Pro.
Mimo to, porównywanie 990 do najszybszych dysków na rynku mija się z celem. To popularny dysk SSD Gen4, zbudowany z myślą o wydajności i wartości, a nie o przewadze w testach porównawczych, a w porównaniu do swojego poprzednika, 990 EVO, stanowi solidny krok naprzód. Zapis sekwencyjny jest o ponad 50% szybszy, efektywność energetyczna wzrosła o 38% według danych Samsunga, a dysk nadal zapewnia prędkości odczytu sekwencyjnego porównywalne z 990 EVO Plus. Samsung zdecydował się nie ingerować w samą pamięć NAND, ale parametry wytrzymałości sugerują kompetentną implementację TLC, a nie QLC.
Dla kupujących, którzy nie potrzebują prędkości Gen5 ani losowego wejścia/wyjścia klasy Pro, a chcą niezawodnego, energooszczędnego dysku Gen4 w rozsądnej cenie, dysk 990 to rozsądna alternatywa dla linii EVO. Warto zauważyć, że przejście na 990 Pro nie daje żadnych korzyści w zakresie ładowania modeli AI, więc wybór między nimi sprowadza się do losowego wejścia/wyjścia i ciągłego zapisu, a nie do czegokolwiek związanego z AI. Przy cenie 269.99 USD za 1 TB i 529.99 USD za 2 TB, sugerowane ceny detaliczne odzwierciedlają bardziej obecny rynek pamięci niż pozycję dysku dla początkujących, więc ostatecznym argumentem za wartością dysku 990 będą ceny detaliczne. Nie jest to dysk, który warto kupić, jeśli priorytetem jest wydajność, ale spełnia swoje zadanie.
Amazon