三星电子宣布，已开始量产业界首款基于第二代高带宽内存（HBM2）接口的4GB DRAM封装。这款专为高性能计算（HPC）、高级图形、网络系统和企业服务器设计的DRAM，速度将比现有DRAM的性能极限提升七倍以上，从而显著提高高端计算任务的响应速度。此前，该公司于去年10月推出了128GB 3D TSV DDR4 RDIMM内存条。
如图所示，128GB 3D TSV DDR4 RDIMM
利用三星最高效的 20 纳米工艺技术和先进的 HBM 芯片设计，4GB HBM2 封装是通过在底部堆叠一个缓冲裸片和在顶部堆叠四个 8Gb 核心裸片（单个裸片包含超过 5,000 个 TSV 孔）而创建的。 三星解释说，他们然后通过 TSV 孔和微凸块垂直互连。 三星新的 DRAM 封装也将上一代的带宽提高了一倍，达到 256GBps。 此外，与基于 4Gb-GDDR5 的解决方案相比，它的每瓦带宽翻倍，同时嵌入 ECC 功能以实现高可靠性，从而提高能效。
三星表示，他们计划在今年内生产 8GB HBM2 DRAM 封装，与 GDDR95 DRAM 相比，这将使设计人员受益于空间节省超过 5%。 因此，为需要高级图形计算能力的紧凑型设备提供更优化的解决方案将成为可能。
三星补充说，他们将在 2 年逐步提高其 HBM2016 DRAM 的产量，以满足网络系统和服务器的市场需求。
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