三星电子在两天内采取了两项举措，但都指向同一个问题：如何在人工智能需求超越传统芯片扩展速度的情况下，保持其存储器和晶圆代工生产线的领先地位。9月8日，三星和ASML宣布扩大合作，根据合作协议，三星将在2028年前将ASML的高数值孔径极紫外（EUV）光刻技术应用于DRAM的大规模量产，并加入业界从6英寸光掩模向12英寸光掩模过渡的行列。一天后，在巴黎举行的韩法峰会上，三星宣布与Mistral AI建立战略合作伙伴关系，在其芯片生产运营中部署这家法国开发商的模型，同时领投Mistral的D轮融资。
三星将于 2028 年推出用于 DRAM 的高 NA EUV 光刻机，并实现 12 英寸光掩模过渡
三星表示，计划在2028年前将ASML的高数值孔径（High NA）EUV光刻系统应用于未来的DRAM大批量生产，两家公司称这将是业内首例此类部署。高数值孔径技术将投影光学元件的数值孔径从0.33提升至0.55，更高的分辨率旨在通过简化目前需要多次光刻的工艺步骤，来扩展DRAM的微缩路线图。三星在2026年FMS展会上阐述了其3D存储器微缩路线图，而高数值孔径技术正是该路线图中必须首先完成的光刻部分。
与此同时，三星也加入了业界的倡议，共同开发用于高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）的12英寸光掩模平台。6英寸光掩模几十年来一直是标准配置，但高数值孔径系统采用变形光学元件，会将曝光区域减半，因此在6英寸光掩模上打印全尺寸芯片意味着需要拼接两次曝光。ASML和三星表示，更大的12英寸光掩模有望提高晶圆厂的生产效率，降低芯片制造成本，并消除拼接曝光的限制，使制造商能够使用高数值孔径光掩模而无需承受产能损失。三星表示，将与业界合作伙伴共同开发新尺寸所需的掩模技术和配套基础设施，并借鉴其在存储器和晶圆代工生产中应用极紫外光刻技术的经验。
三星电子副董事长兼首席执行官杨铉俊表示：“人工智能时代正在改变半导体行业，并提升整个价值链中技术创新的重要性。通过进一步加强与ASML的合作，我们正在为下一代人工智能和半导体创新奠定基础。”ASML总裁兼首席执行官克里斯托夫·福凯称三星是“多年来ASML最重要的创新合作伙伴之一”，两家公司均表示，他们期待继续探索在先进存储器和新型制造工艺方面的合作。
Mistral AI 模型在三星晶圆厂内部运行
第二项公告宣布，Mistral 的模型（包括其旗舰产品 Mistral Large）将应用于三星的半导体业务运营中。三星表示，将整合 Mistral 的人工智能服务和解决方案，为其所谓的“智能驱动型基础设施”开发定制化的本地部署模型。选择本地部署方式，旨在确保工艺技术和运营数据完全保留在三星自身的半导体基础设施内。
三星提出的目标是解决实际的晶圆厂问题，而非抽象的芯片设计。三星表示，将应用针对性模型进行缺陷检测和设备优化，旨在加快其先进存储器和逻辑芯片的开发周期，提高制造精度和良率稳定性。该公司认为，随着工艺节点日益复杂，晶圆厂内部的快速数据分析变得至关重要，而Mistral的堆栈旨在改变其芯片的设计和制造方式。
“人工智能芯片设计和制造的复杂性日益增加，这需要半导体技术的持续创新，”Jun说道，这次他署名的是三星设备解决方案事业部负责人。Mistral联合创始人兼首席执行官Arthur Mensch表示，公司“很荣幸能凭借我们在电子和半导体领域的专业知识为三星电子提供支持，帮助改进芯片的设计和制造方式。”
三星领投了Mistral的D轮融资，并称其获得了战略股权，以支持双方的长期技术合作。三星并未披露本轮融资的规模及其持股比例。此次投资使三星与自己的光刻供应商ASML一起出现在Mistral的股权结构中：ASML曾在一年前的2025年9月领投了Mistral的C轮融资，投资额达1.3亿欧元，约占11%的股份。Mistral也在积极构建自身的基础设施，例如在NVIDIA GB300 NVL72平台上部署Mistral Compute AI工厂，并与戴尔在企业级部署方面深化合作。
综合来看，这两项公告表明三星在晶圆制造的两端都具备采购能力：一方面是决定下一个 DRAM 单元尺寸的微影技术，另一方面是一旦这些设备投入运行，它就需要监控生产线的型号。
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