Micron a présenté une barrette RDIMM DDR5 de 512 Go fonctionnant sur plusieurs plateformes serveur. Selon l'entreprise, il s'agit du premier module au monde d'une telle capacité, et AMD et Intel sont en train de le valider pour leurs serveurs de nouvelle génération. Ce module atteint des vitesses de 9 200 MT/s et, dans un serveur biprocesseur à 24 emplacements, il fournit 12 To de mémoire DDR5 à deux processeurs. La production en série est prévue pour le second semestre 2027.
Comment Micron parvient à atteindre 512 Go sur un seul module
Micron empile verticalement les puces DRAM dans chaque boîtier et les relie par des interconnexions traversantes (TSV), une technique d'empilement identique à celle utilisée pour la mémoire HBM. L'augmentation du nombre de puces par boîtier double la capacité par emplacement sans modifier l'encombrement du module ni le nombre de modules DIMM du serveur ; c'est ainsi qu'un système à deux sockets et 24 emplacements atteint une capacité de 12 To.
« Micron continue de donner le ton en matière de technologie de mémoire, en proposant une nouvelle génération de mémoire serveur ultra-dense et haute performance qui permet aux clients de stocker des ensembles de données plus volumineux au plus près des moteurs de calcul qui en ont besoin », a déclaré Raj Narasimhan, vice-président senior et directeur général de l'unité commerciale Cloud Memory chez Micron. « Une barrette RDIMM de 512 Go permet de créer des serveurs multi-téraoctets, prenant en charge des charges de travail d'IA et de bases de données plus importantes, une densité de virtualisation accrue et une efficacité énergétique améliorée, le tout dans l'encombrement des serveurs existants. »
La fréquence de 9 200 MT/s est l'autre caractéristique remarquable, dépassant largement la limite de 6 400 MHz (DDR5) des RDIMM standard sur les plateformes Xeon 6 actuelles. Le lancement de ce module par Micron le rend compatible avec les plateformes de nouvelle génération des deux fabricants de processeurs ; la vitesse et la capacité devraient donc arriver simultanément avec le cycle de vie des serveurs de 2027. De nombreux systèmes Xeon 6 et EPYC de notre laboratoire sont équipés de RDIMM Micron, et ses MRDIMM étaient à l'origine du record STAC-A2 établi par le HPE XD230 plus tôt cette année.
Un module de 512 Go contre quatre modules de 128 Go
Micron affirme que son module RDIMM de 512 Go consomme plus de 60 % d'énergie en fonctionnement en moins qu'un module de 128 Go de capacité totale équivalente. Le module de 512 Go consomme 16 W contre 44.2 W pour les quatre modules de 128 Go combinés, soit une réduction de 63.8 %, ou environ 31 mW par gigaoctet contre 86 mW. Cette comparaison suppose un serveur disposant de quatre emplacements libres ; or, le cas le plus fréquent est celui d'un serveur où tous les emplacements sont occupés, le module de 512 Go étant alors la seule solution pour augmenter la capacité. L'argument de la densité est important dans de nombreux cas d'utilisation, et nous l'avions déjà avancé récemment à propos de leur SSD de 245 To.
En termes de performances, Micron cite un débit jusqu'à 1.4 fois supérieur pour les charges de travail gourmandes en mémoire telles que l'analyse de données basée sur Spark SVM par rapport aux configurations DDR5 de 256 Go, et affirme que le module améliore le débit et la concurrence pour les bases de données et les plateformes de mise en cache gourmandes en mémoire, notamment RocksDB et Redis.
AMD, Intel et la voix des premiers clients
Les deux fabricants de processeurs ont fourni des déclarations de validation. « Notre étroite collaboration technique avec Micron permet de conjuguer innovation en matière de calcul et de mémoire afin d'aider nos clients à tirer pleinement parti des plateformes AMD », a déclaré Amit Goel, vice-président d'AMD, en charge de l'ingénierie des solutions de calcul et d'IA pour les plateformes d'entreprise. Karin Eibschitz Segal, directrice générale de l'ingénierie des plateformes et des systèmes au sein du groupe Data Center d'Intel, a indiqué qu'Intel « travaille en étroite collaboration avec Micron pour valider sa mémoire RDIMM DDR5 de 512 Go et contribuer au développement de futures plateformes serveur capables de répondre aux exigences croissantes des charges de travail des centres de données de nouvelle génération. »
Le communiqué inclut également une citation de Darrin Alves, directeur des systèmes d'information pour les plateformes d'infrastructure chez JPMorgan Chase, qui affirme qu'une mémoire de plus grande capacité « aidera les entreprises à prendre en charge des charges de travail en mémoire plus importantes, à améliorer l'utilisation des ressources et à renforcer la flexibilité nécessaire à l'évolution des environnements informatiques modernes ». Les bases de données en mémoire, la virtualisation à grande échelle et l'inférence côté processeur pour les modèles de langages logiques (LLM) et les charges de travail agentielles sont autant de cas d'usage cités par Micron, tous limités par la quantité de données qu'un serveur peut contenir en mémoire vive avant de les transférer vers le stockage.
Timing
L'objectif de production fixé au second semestre 2027 repousse la disponibilité de la RDIMM de 512 Go d'au moins un an. En août, Micron et SK hynix ont investi des milliards dans de nouvelles usines de DRAM, mais seule une faible partie de cette capacité sera opérationnelle avant 2028. Le module arrivera donc en même temps que la production de plaquettes sur laquelle il sera basé.
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