Samsung annonce qu'il a commencé la production de masse de sa nouvelle V-NAND 3D qui promet d'apporter de deux à dix fois la fiabilité et deux fois les performances d'écriture par rapport à la mémoire flash NAND à grille flottante inférieure à 20 nm. Pour atteindre cet objectif, Samsung a mis en œuvre une nouvelle technologie qui empile verticalement les couches de cellules planes dans une structure 3D. La nouvelle V-NAND 3D fournit une densité de 128 Go sur une seule puce et intègre la structure cellulaire verticale exclusive de Samsung, basée sur la technologie 3D Charge Trap Flash (CTF) et la technologie de processus d'interconnexion verticale afin de relier le réseau de cellules 3D. Cette nouvelle offre Samsung sera le moteur d'une gamme de nouveaux produits comprenant des offres électroniques grand public ainsi que des produits d'entreprise et des SSD.
Le nouveau V-NAND 3D de Samsung est le premier de l'industrie et constitue une avancée significative alors que l'industrie du flash NAND réfléchit à la manière de continuer à réduire les coûts et à étendre les capacités tout en réduisant les tailles de lithographie NAND dans la classe 10-20 nm et peut-être au-delà, tout en simultanément évitant de prendre un coup à la fiabilité. Dans cet esprit, Samsung a évalué sa technologie CTF qu'ils avaient initialement créée en 2006, dans laquelle une charge électrique est temporairement placée dans une chambre de maintien de la couche non conductrice de flash composée de nitrure de silicium (SiN). Ceci est différent de la technologie non 3D dans laquelle une grille flottante est utilisée pour empêcher les interférences entre les cellules voisines.
Dans la technologie 3D V-NAND, sur laquelle Samsung étudie et travaille depuis 10 ans avec maintenant plus de 300 technologies en instance de brevet dans le monde, la technologie de processus d'interconnexion verticale peut empiler jusqu'à 24 couches. Pour ce faire, Samsung met en œuvre une technologie de gravure pour connecter les couches électroniquement en perforant des trous de la couche la plus haute vers le bas. Avec la structure 3D verticale, Samsung crée une méthode par laquelle ils peuvent obtenir des produits de mémoire flash NAND à plus haute densité sans nécessiter de mise à l'échelle planaire, ce qui a bien sûr des limites.
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