美光公司展示了一款可在多种服务器平台上运行的 512GB DDR5 RDIMM 内存条,并称其为全球首款如此大容量的内存模块。美光表示,AMD 和英特尔都在对其下一代服务器平台进行验证。该内存模块的额定速度高达 9,200 MT/s,在 24 插槽双路服务器中,可为两颗 CPU 提供 12TB 的 DDR5 内存。预计将于 2027 年下半年开始量产。
美光如何实现单条内存容量达到 512GB?
美光采用垂直堆叠的方式,在每个封装内堆叠DRAM芯片,并通过硅通孔(TSV)连接,这与HBM所采用的芯片堆叠方式相同。在每个封装内堆叠更多芯片,即可在不改变模块尺寸或服务器DIMM数量的情况下,使每个插槽的容量翻倍,这就是双路24插槽系统实现12TB容量的原因。
“美光持续引领内存技术发展,推出新一代超高密度、高性能服务器内存,帮助客户将更大的数据集更靠近需要它们的计算引擎,”美光高级副总裁兼云内存业务部总经理Raj Narasimhan表示。“512GB RDIMM内存条可支持多TB级服务器,从而在现有服务器空间内实现更大的AI和数据库工作负载、更高的虚拟化密度和更高的能效。”
9,200 MT/s 的读写速度是另一个值得关注的数据,远超目前 Xeon 6 平台上标准 RDIMM 内存的 DDR5-6400 上限。美光此次发布的这款内存模块与两家 CPU 厂商的下一代平台均有关联,因此其速度和容量预计将在 2027 年的服务器周期中同步推出。我们实验室的许多 Xeon 6 和 EPYC 系统中都使用了美光 RDIMM 内存,而今年早些时候,HPE XD230 创下的 STAC-A2 纪录也与美光 MRDIMM 内存不相上下。
一个 512GB 模块对四个 128GB 模块
美光声称,单条 512GB RDIMM 内存条的功耗比四条相同总容量的 128GB RDIMM 内存条降低 60% 以上。512GB 内存条的功耗为 16W,而四条 128GB 内存条的总功耗为 44.2W,功耗降低了 63.8%,即每 GB 功耗约为 31mW,而四条 128GB 内存条的总功耗为 86mW。此比较假设服务器有四个空闲插槽可供使用;而更常见的情况是服务器插槽已满,此时 512GB 内存条是唯一的扩展容量方式。在许多应用场景中,存储密度优势都至关重要,我们最近在讨论美光的245TB SSD时也提到了类似的问题。
在性能方面,美光表示,与 256GB DDR5 配置相比,对于 Spark SVM 数据分析等内存密集型工作负载,吞吐量最高可提高 1.4 倍;并且表示,该模块可提高 RocksDB 和 Redis 等内存密集型数据库和缓存平台的吞吐量和并发性。
AMD、英特尔和早期客户的声音
两家CPU供应商均提供了验证声明。AMD公司计算与企业AI平台解决方案工程副总裁Amit Goel表示:“我们与美光的紧密工程合作,将计算和内存创新相结合,帮助客户充分发挥AMD平台的价值。”英特尔数据中心事业部平台与系统工程总经理Karin Eibschitz Segal表示,英特尔“正与美光紧密合作,验证其512GB DDR5 RDIMM内存,并助力打造未来服务器平台,以满足下一代数据中心工作负载日益增长的需求。”
该新闻稿还引用了摩根大通基础设施平台首席信息官达林·阿尔维斯 (Darrin Alves) 的话,他表示,更高容量的内存“将帮助企业支持更大的内存工作负载,提高资源利用率,并增强扩展现代计算环境所需的灵活性”。美光列举了内存数据库、大规模虚拟化以及用于LLM和代理工作负载的CPU端推理等应用场景,所有这些场景都受到服务器在溢出到存储之前可以在主内存中存储多少数据的制约。
定时
2027年下半年的量产目标意味着512GB RDIMM内存条的上市时间至少还要一年。今年8月,美光和SK海力士承诺投资数十亿美元建设新的DRAM晶圆厂,但这些产能大多要到2028年才能投入使用,因此这款内存条的上市时间与它所依赖的晶圆产量大致处于同一时期。




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