StorageReview.com

SK hynix na targach FMS 2026: 16-warstwowa pamięć HBM4, 375-warstwowa pamięć NAND połączona waflami i wielowarstwowy układ pamięci

AI  ◇  Enterprise

Firma SK Hynix zaprezentowała na targach Future of Memory and Storage 2026, które odbyły się w dniach 4-6 sierpnia w Santa Clara Convention Center, kompleksowe portfolio pamięci AI typu „full-stack”, obejmujące HBM, serwerową pamięć DRAM, pamięć NAND oraz rozbudowę CXL. Prezentacja firmy koncentrowała się na przejściu na sztuczną inteligencję opartą na agentach oraz potrzebie przejścia od wydajności poszczególnych produktów do zintegrowanych architektur pamięci. Firma dzieliła prezentację z planem działania Samsunga dotyczącym pamięci 3D , który omówiliśmy osobno.

Widok ogólny stoiska SK hynix FMS 2026 z hasłem przewodnim Full Stack AI Memory Creator, ścianą ekspozycyjną HBM i podstawą GPU

Pamięć warstwowa i pamięć flash o dużej przepustowości

Firma SK hynix wygłosiła trzecią prelekcję otwierającą targi pod hasłem „Organizowanie wydajnej infrastruktury AI poprzez pamięć warstwową w erze sztucznej inteligencji opartej na agentach”. Prezentację poprowadzili Kim Chun-sung, wiceprezes wykonawczy i dyrektor ds. rozwoju rozwiązań, oraz Kang Uk-song, wiceprezes i dyrektor ds. planowania produktów nowej generacji. Ich argumentacja była taka, że ​​w miarę jak agenci AI przetwarzają wykładniczo większe zbiory danych, architektura pamięci musi ewoluować w kierunku systemu „pamięci warstwowej”. „O ogólnej wydajności decyduje umiejscowienie każdej warstwy pamięci – HBM, DRAM, NAND (HBF) i SSD – oraz sposób jej połączenia, aby zminimalizować przenoszenie danych” – powiedział Kim.

Tłum na stoisku SK hynix FMS 2026 ogląda prezentację „Czym jest HBF” na głównym ekranie

Istotnym elementem tej wielopoziomowej strategii jest pamięć flash o dużej przepustowości (HBF) . SK Hynix opisuje HBF jako nową kategorię pamięci, która wykorzystuje łączenie TSV, podobnie jak HBM, w celu zrównoważenia pojemności tradycyjnej pamięci NAND z przepustowością pamięci DRAM. Pozycjonując się jako poziom pomiędzy ultraszybkimi pamięciami HBM a dyskami SSD o dużej pojemności, HBF ma na celu zwiększenie skalowalności systemu przy jednoczesnym obniżeniu kosztów operacyjnych.

Najważniejsze wydarzenia wystawy: HBM4 i 375-warstwowa pamięć NAND

Na wystawie zaprezentowano kilka kluczowych osiągnięć w dziedzinie sprzętu:

  • HBM nowej generacji: Firma SK Hynix zestawiła model HBM4 z modelem akceleratora Vera Rubin nowej generacji firmy NVIDIA, aby pokazać, jak technologie obu firm się łączą. Na wystawach znalazły się fizyczne egzemplarze 12-warstwowego, 48-gigabajtowego układu HBM4E, który początkowo był produkowany. pobieranie próbek w lipcu, 16-warstwowa pamięć HBM4 o pojemności 48 GB i 12-warstwowa pamięć HBM3E o pojemności 36 GB.
  • 375-warstwowa pamięć NAND 4D: To pierwszy produkt firmy z pamięcią NAND wykorzystującą technologię łączenia płytek (wafer bonding). Zapewnia on 2.5-krotnie wyższą wydajność na wat niż poprzednia generacja. Dyski SSD klasy korporacyjnej oparte na tej pamięci NAND mają trafić do masowej produkcji w pierwszej połowie 2027 roku.
  • Dyski eSSD o dużej pojemności: PS1101, dysk eSSD oparty na architekturze QLC, oferuje o około 55% wyższą wydajność niż poprzednia generacja 176-warstwowa. Dostawy próbek dla głównych dostawców usług chmurowych planowane są na sierpień 2026 roku.
  • Rozwiązania Edge AI: Produkty LPDDR6, LPDDR5/5X, UFS 4.1 i UFS 5.0 zaprezentowano jako odpowiedzi na potrzeby sztucznej inteligencji fizycznej i urządzeń brzegowych o niskim poborze mocy. Firma SK hynix poinformowała, że ​​w swoich mobilnych i klienckich produktach SSD zastosuje rozmieszczanie uwzględniające dane i warstwowanie uwzględniające media w celu wnioskowania brzegowego.
Prezentacja AI Core na stoisku SK hynix FMS 2026 z dyskami eSSD PS1101 i PS1110, otwartą obudową serwera oraz pamięcią serwerową DDR5 MRDIMM i RDIMM

Demonstracje CXL i obliczeń w pamięci

Firma SK hynix zademonstrowała praktyczne zastosowanie Compute Express Link (CXL) w wielu scenariuszach na żywo. Jedna z demonstracji prezentowała pamięć zbiorczą CXL do zarządzania pamięcią podręczną KV w rozproszonych systemach agentów AI, co znacznie poprawia wydajność w porównaniu z tradycyjną komunikacją sieciową. W innej demonstracji wykorzystano CMM-Hybrid do wstępnego pobierania pamięci podręcznej KV do pamięci DRAM, jednocześnie utrzymując główną pamięć podręczną na dysku SSD, co zapewnia dużą pojemność.

Firma zaprezentowała również CMM-Ax, rozwiązanie typu „compute-in-memory”, które osadza możliwości obliczeniowe w pamięci, aby przyspieszyć wnioskowanie LLM w długim kontekście. Badania wspierające SK hynix nad efektywnym wnioskowaniem LLM w długim kontekście zostały zaakceptowane przez MICRO 2026, uznawaną przez firmę za najbardziej prestiżową konferencję poświęconą architekturze komputerowej.

Skontaktuj się z StorageReview

Biuletyn | YouTube | Podcast iTunes / Spotify | Instagram | Twitter | TikTok | Kanał RSS

Harold Fritts

Pracuję w branży technologicznej od czasu, gdy IBM stworzyło Selectric. Moim głównym zajęciem jest jednak pisanie. Postanowiłem więc odejść z działu przedsprzedaży i wrócić do korzeni, zajmując się trochę pisaniem, ale wciąż angażując się w technologię.